Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 150V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: cátodo común. Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Doble diodo rectificador ultrarrápido, cátodo común. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Doble diodo rectificador ultrarrápido, cátodo común. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: alto voltaje y alta confiabilidad. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: Ifsm--30App

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35ms. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast with soft recovery. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Bajo voltaje directo. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 32 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.15V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 50A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2V

Corriente directa (AV): 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-3. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Amortiguador + Diodo de Modulación . Nota: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Nota: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C

Corriente directa (AV): 50A. IFSM: 280A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: SMPS, inversor solar, UPS, circuitos de conmutación de energía. Resonancia magnética (máx.): 400uA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: sí. Spec info: Ifsm--280App. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.45V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 40V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Nota: diodo Schottky. Nota: diodo de silicio dual. Nota: Ifsm--60A/50Hz. Número de terminales: 3. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2.5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo rectificador. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda (según ficha técnica): TOP-3P. Nota: diodo de silicio dual. Nota: DAMPER +MODULATION. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: diodo de silicio dual. Nota: diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores de recuperación rápida . Nota: 30App/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V

Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 60App/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 60App/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V