Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: 30 aplicaciones/8,3 ms, marcado ES1D SMD. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Diodo rectificador de montaje superficial súper rápido

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: 30 aplicaciones/8,3 ms, marcado ES1G SMD. Número de terminales: 2. Nota: Diodo rectificador de montaje superficial súper rápido

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: 30 aplicaciones/8,3 ms, marcado ES1J SMD. Número de terminales: 2. Nota: Diodo rectificador de montaje superficial súper rápido

Corriente directa (AV): 30A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Nota: diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: diodo de silicio dual

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 80A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3FP. VRRM: 1500V. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 0.15us. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de velocidad súper alta y baja pérdida. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcado en la caja: CO23M-15 (C023M-15). Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 200V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo dual de recuperación rápida. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms)

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda (según ficha técnica): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: 30Ap/8.3ms

Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 150V. Material semiconductor: silicio. Nota: GL. Nota: 125A/8.3ms

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Nota: cátodo común. Nota: Dual Ultrafast Plastic Rectifier. Nota: Ifsm 125Aps/8.3ms

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 200V. Cj: 175pF. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Doble diodo rectificador ultrarrápido, cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: cátodo común. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 145pF. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Doble diodo rectificador ultrarrápido, cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: cátodo común. Spec info: Ifsm--300Ap, t=8.3ms

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: Ifsm--30App. Nota: alto voltaje y alta confiabilidad

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35ms. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast with soft recovery. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Bajo voltaje directo

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 200V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 32 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.15V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <35ns

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 50A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-2L. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 34 ns. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.2V. Tensión directa Vf (mín.): 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ultrafast with soft recovery (IF=1A), <40ns

Corriente directa (AV): 6A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F-3. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 90 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Amortiguador + Diodo de Modulación . RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: Dd--Vf--1.4...1.6V, Dm--Vf--2.0...2.2V. Nota: Dd--Trr--120ns, Dm--Trr--90ns. Spec info: Dd--1500V/6A/60Ap, Dm--600V/20A/120Ap

Corriente directa (AV): 50A. IFSM: 280A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-2LD, CASE 340CL. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 400uA. Resonancia magnética (mín.): 200uA. ¿Diodo Schottky?: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Silicon Carbide (SiC) Schottky. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.45V. Número de terminales: 2. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Función: SMPS, inversor solar, UPS, circuitos de conmutación de energía. Spec info: Ifsm--280App

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 40V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: diodo Schottky. Nota: Ifsm--60A/50Hz. Unidad de acondicionamiento: 50. Nota: diodo de silicio dual

Corriente directa (AV): 4A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2