Diodos estándar y rectificadores

Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: silicio. Función: Standard Rectifier. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: pata central (cátodo D1, ánodo D2, en serie). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.16V

Corriente directa (AV): 6A. Corriente directa (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Varios: Diodo amortiguador de alto voltaje. Material semiconductor: silicio. Función: CRT Horizontal Deflection. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 15A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo amortiguador de alto voltaje. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores de alta eficiencia. Nota: 30Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Diode. Nota: Gl, S. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio

VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: 9x7mm. Nota: MONITOR DAMP. Nota: D09.15

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Diodo rectificador de montaje superficial súper rápido. Nota: 30 aplicaciones/8,3 ms, marcado ES1G SMD. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 30A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Nota: diodo de silicio dual. Nota: diodo Schottky. Nota: Ifsm--250A. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 80A. Vivienda: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Vivienda (según ficha técnica): TO-3FP. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 0.15us. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de velocidad súper alta y baja pérdida. Nota: DAMPER +MODULATION. Marcado en la caja: CO23M-15 (C023M-15). Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--50/80Ap, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 200V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: ULTRA FAST ->l<-. Nota: Ifsm--50A/10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 0.8A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo dual de recuperación rápida. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100A (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda (según ficha técnica): TS-1 ( 2.5x3.3mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: 30Ap/8.3ms