Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 37A. IFSM: 375A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corriente directa (AV): 37A. IFSM: 375A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Pd (disipación de potencia, máx.): 138W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V. Tensión directa Vf (mín.): 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corriente directa (AV): 28A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Pd (disipación de potencia, máx.): 138W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.55V. Tensión directa Vf (mín.): 2.2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Pd (disipación de potencia, máx.): 189W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corriente directa (AV): 52A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Pd (disipación de potencia, máx.): 189W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.55V. Tensión directa Vf (mín.): 2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Doble: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial (FRED) . Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 90A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 0.5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.79V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corriente directa (AV): 70A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 650uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.66V. Tensión directa Vf (mín.): 1.74V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 30. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 650uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.66V. Tensión directa Vf (mín.): 1.74V. Unidad de acondicionamiento: 10. Número de terminales: 2. Configuración: carcasa aislada, sin taladrar. Cantidad por caja: 1. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C

Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: silicio. Función: Standard Rectifier. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.16V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: pata central (cátodo D1, ánodo D2, en serie)

Corriente directa (AV): 6A. Corriente directa (RMS): 15A. IFSM: 80A (tp=10ms). Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1500V. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Varios: Diodo amortiguador de alto voltaje. Material semiconductor: silicio. Función: CRT Horizontal Deflection. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 15A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FPAC. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: IF(AV) 4A, Vf typ 1.5V. Nota: Diodo amortiguador de alto voltaje

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 130 ns. Material semiconductor: silicio. Temperatura: +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--75Ap T=10mS

Corriente directa (AV): 0.8A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: SPEC.SONY DIODA. Nota: SONY 871904678

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.9mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: 30Ap/8.3ms. Nota: Rectificadores de alta eficiencia

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 300V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Gl, S. Nota: 75Ap/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Diode. Nota: Gl, S. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: 150Ap / 8.3ms

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2x2.7 ). VRRM: 1600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: 30Ap

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB / DO214AA. VRRM: 600V. Cj: 15pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC / DO214AB. VRRM: 600V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 300uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 0.5A. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio

VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG. Nota: B29-04.79