Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de vidrio sinterizado rápido de avalancha . Fecha de producción: 201412. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: BYV28-200. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.89V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Corriente directa (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.93V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Corriente directa (AV): 9A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 125A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST. Marcado en la caja: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: cátodo común. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Marcado en la caja: BYV34-500. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores rápidos de mesa de silicio. Fecha de producción: 2013/40. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: cátodo común. Función: Diodos rectificadores, ultrarrápidos, resistentes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Función: Diodos rectificadores, ultrarrápidos, resistentes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Corriente directa (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-2. VRRM: 200V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.83V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI S. Nota: 80App/10ms

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: SWITCHMODE Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 600uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 88A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: diodos rectificadores ultrarrápidos (máx, 25 ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Unidad de acondicionamiento: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Resonancia magnética (máx.): 46.4k Ohms. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: Diodo de conmutación y rectificación rápida. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: Mesa Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220B. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 70A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de avalanchas controlados de rápida recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 70A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: Rectificador de avalancha controlado de rápida recuperación suave. Spec info: IFSM--70Ap

Corriente directa (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Corriente directa (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 10A. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: 11 mm, 6 caras. Nota: GI-L

Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 300V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI

Corriente directa (AV): 20mA. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Circuito controlador LED 20mA/45V. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Nota: Controlador LED de corriente constante. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad por caja: 1. Spec info: para una disipación de 1W sin refrigeración, máx, 25V

Corriente directa (AV): 40mA. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Circuito controlador LED 40mA/45V. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Nota: Controlador LED de corriente constante. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad por caja: 1. Spec info: para una disipación de 1W sin refrigeración, máx, 25V