Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje. Resonancia magnética (máx.): 25uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Dimensiones: 7.3x22mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 10V

Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): DO-41. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Cantidad por caja: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V

Corriente directa (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Material semiconductor: silicio. Nota: GR

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Función: montaje del disipador de calor. Nota: 4.2x4.3mm. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: 97053100. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifms 70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 3uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V

Corriente directa (AV): 4A. Vivienda (según ficha técnica): SOD-57. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 12A. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: 48...82kHz. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (carcasa de plástico)

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50°C...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 220A. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de recuperación suave y rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de recuperación suave y rápida . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 20Ap f=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 2.3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V