Diodos estándar y rectificadores

Vivienda: SOT23. VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.125A. Tipo de diodo: Switching. Voltaje directo (máx.): <1.25V / 0.15A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 500nA / 80V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: BAV

Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de conmutación de pequeñas señales, alto voltaje. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 0.6us. Material semiconductor: silicio. Función: diodo dual de baja fuga. Fecha de producción: 2014/49. Resonancia magnética (máx.): 80nA. Resonancia magnética (mín.): 5nA. Marcado en la caja: JYs. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Vivienda: SOT23. VRRM: 70V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.15A. Tipo de diodo: Switching. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 0.05A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 30nA / 25V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: BAW

Corriente directa (AV): 0.6A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Material semiconductor: silicio. Nota: Diodo de conmutación de pequeñas señales. Nota: Ifsm--4A/1uS. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafía/código SMD A1s. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 0.15uA. Marcado en la caja: A1s. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-323. Vivienda (según ficha técnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sí. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafía/código SMD A1. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 0.15uA. Marcado en la caja: A1. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V

Corriente directa (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 155A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, conductores axiales. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.83V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje. Resonancia magnética (máx.): 25uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Dimensiones: 7.3x22mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 10V

Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): DO-41. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Cantidad por caja: 1. Diodo Tff(25°C): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V

Corriente directa (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Material semiconductor: silicio. Nota: GR

VRRM: 1500V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x4.5mm ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1000 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--70Ap/10mS. Peso: 12g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Función: montaje del disipador de calor. Nota: 4.2x4.3mm. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: 97053100. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifms 70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 3uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V