Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 40A. Corriente directa (RMS): 62A. IFSM: 570A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Capacidad de corriente máxima alta. Nota: Hilo M6. Resonancia magnética (máx.): 9mA. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montaje/instalación: Fijación roscada . Temperatura de funcionamiento: -65...+190°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 40A. Corriente directa (RMS): 62A. IFSM: 570A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Capacidad de corriente máxima alta. Nota: Hilo M6. Resonancia magnética (máx.): 9mA. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -65...+190°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: SILICON DIFFUSED TYPE. Nota: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Nota: trr 0.6us

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 800A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 28 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de recuperación suave ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. Marcado en la caja: 60APU02. Equivalentes: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.08V. Tensión directa Vf (mín.): 0.98V

Corriente directa (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 250A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A10. Equivalentes: 6A100G-R0G. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 70A. Corriente directa (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Nota: Hilo M6. Resonancia magnética (máx.): 4.5mA. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V

Corriente directa (AV): 70A. Corriente directa (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Material semiconductor: silicio. Nota: Hilo M6. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montaje/instalación: Fijación roscada . Temperatura de funcionamiento: -65...+180°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V

Corriente directa (AV): 70A. Corriente directa (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1600V. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Nota: Hilo M6. Resonancia magnética (máx.): 4.5mA. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V

Corriente directa (AV): 70A. Corriente directa (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 800V. Unidad de acondicionamiento: 100dB. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Nota: Hilo M6. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -65...+180°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V

Corriente directa (AV): 80A. IFSM: 800A. Vivienda (según ficha técnica): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de recuperación suave ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. RoHS: sí. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.92V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, conductores axiales. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Nota: SAMSUNG. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: RG2A. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFMS 50Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C

Vivienda: DO-41. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sí. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23L. VRRM: 30 v. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 100mA. Resonancia magnética (mín.): 500nA. Marcado en la caja: DB1. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.45V. Tensión directa Vf (mín.): 0.26V

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 6 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo de conmutación. Nota: serigrafía/código SMD A6s, A6t. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: A6s. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 715mV

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de conmutación de alto voltaje. Nota: serigrafía/código SMD JS. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Marcado en la caja: JS. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 0.5uA. Resonancia magnética (mín.): 1nA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1V

Corriente directa (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOD-523. Vivienda (según ficha técnica): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: .W. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 45. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: independiente. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 47 s. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1.5us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de baja fuga. Nota: baja corriente inversa. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodos de barrera Schottky de conmutación rápida de vidrio. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky para señales pequeñas, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD80. Vivienda (norma JEDEC): Sb. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. VRRM: 30 v