Diodos estándar y rectificadores

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Nota: distancia entre centros 15 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Vivienda: DO-201. VRRM: 1000V. Corriente rectificada promedio por diodo: 3A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 3A. Tipo de montaje: THT. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: 1N54

Corriente directa (AV): 15mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Detección VHF/UHF. Nota: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 0.2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: f=1MHz 2pF. Paso: 4.5x2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.41V

Corriente directa (AV): 15mA. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123. VRRM: 70V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Detección VHF/UHF. Nota: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 0.2uA. Marcado en la caja: SA. Número de terminales: 2. Dimensiones: 2.85x1.7x1.35mm. RoHS: sí. Spec info: f=1MHz 2pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.41V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 25A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 5.2x2.7mm ). VRRM: 20V. Cj: 110pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.45V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 25A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 30 v. Cj: 110pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 25A. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123 ( 2.85x1.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 50pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 1.5mA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: SL. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--25Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Potencia: 450mW. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.32V

VRRM: 40V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.6x5.6mm ). RoHS: sí. Cj: 250pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.475V

Corriente directa (AV): 15mA. IFSM: 50mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 2.2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Ultrafast switching. Nota: Conmutación de diodo Schottky. Nota: f=1MHz 2.2pF. Nota: Detección VHF/UHF. Resonancia magnética (máx.): 0.2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -60...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.41V

Corriente directa (AV): 300mA. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1Ap t=1sec. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: 0...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 620mV

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 6.0x3.4mm ). VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores de potencia de modo de conmutación. Nota: Ifsm 10Ap. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 130mA. IFSM: 400mA. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34. VRRM: 80V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 0.5uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V

Corriente directa (AV): 100mA. IFSM: 500mA. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323 ( 1.7x1.25mm ). VRRM: 80V. Cj: 3pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM 0.5A (t=1s). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 310A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). Vrms: 45V. Cj: 720pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Schottky Barrier Rectifier Diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--310Ap 50Hz t=10ms, 350Ap 60Hz t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.25V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC (8,1x6,2x2,6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Marcado en la caja: 3J. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0,96 V. Tensión directa Vf (mín.): 0.62V

Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Nota: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Nota: 920App / 5us. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 340A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 150V. Cj: 340pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--Max. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.19V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores de recuperación rápida . Nota: 200App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27( 5.5x9.5mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores de recuperación rápida . Nota: 200App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 45A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.6x10mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra-Fast Recovery. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD 8x6mm. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Tff(25°C): 200 ns. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: HIGH Speed Rectifier, (Fast Recovery). Resonancia magnética (máx.): 100uA. Marcado en la caja: 3JU. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2V

Corriente directa (AV): 40A. Corriente directa (RMS): 62A. IFSM: 570A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB ( DO-5 ). VRRM: 100V. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Material semiconductor: silicio. Nota: Hilo M6. RoHS: sí. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montaje/instalación: tornillo

Corriente directa (AV): 40A. Corriente directa (RMS): 62A. IFSM: 570A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Capacidad de corriente máxima alta. Nota: Hilo M6. Resonancia magnética (máx.): 9mA. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -65...+190°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V