Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N5406

1N5406
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1 - 2 0.60€ 0.73€
3 - 4 0.57€ 0.69€
5 - 9 0.54€ 0.65€
10 - 19 0.51€ 0.62€
20 - 49 0.48€ 0.58€
50 - 99 0.41€ 0.50€
100 - 607 0.39€ 0.47€
Cantidad (Conjunto de 5) U.P
1 - 2 0.60€ 0.73€
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5 - 9 0.54€ 0.65€
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100 - 607 0.39€ 0.47€
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1N5406. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 06:25.

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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1300V
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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1300V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Nota: distancia entre centros 15 mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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