Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Diodos Diodos estándar y rectificadores

1N5402

1N5402
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1 - 9 0.36€ 0.44€
10 - 24 0.34€ 0.41€
25 - 49 0.22€ 0.27€
50 - 99 0.21€ 0.25€
100 - 249 0.12€ 0.15€
250 - 499 0.12€ 0.15€
500 - 1517 0.11€ 0.13€
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1N5402. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 3A. Ifsm [A]: 200A. Tensión directa Vfmax (V): 1.2V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 10uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Producto original del fabricante Diotec. Cantidad en stock actualizada el 04/09/2025, 04:56.

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Vivienda: DO-201. VRRM: 1000V. Corriente rectificada promedio por diodo: 3A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.0V / 3A. Tipo de montaje: THT. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: 1N54
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VRRM: 1300V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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VRRM: 1300V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Nota: distancia entre centros 15 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
1N5406H
Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Nota: distancia entre centros 15 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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