Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N5402

1N5402
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1 - 9 0.10€ 0.12€
10 - 24 0.0995€ 0.1204€
25 - 49 0.0943€ 0.1141€
50 - 99 0.0922€ 0.1116€
100 - 249 0.0891€ 0.1078€
250 - 499 0.0796€ 0.0963€
500 - 2896 0.0886€ 0.1072€
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1 - 9 0.10€ 0.12€
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25 - 49 0.0943€ 0.1141€
50 - 99 0.0922€ 0.1116€
100 - 249 0.0891€ 0.1078€
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1N5402. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 200V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Nota: GI. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Producto original del fabricante Diotec. Cantidad en stock actualizada el 07/06/2025, 21:25.

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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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BY255

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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Viviend...
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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensión directa Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1300V
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RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-201. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensión directa Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1300V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Nota: distancia entre centros 15 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5us. Material semiconductor: silicio. Nota: distancia entre centros 15 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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