Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N4002

1N4002
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1 - 4 0.46€ 0.56€
5 - 9 0.44€ 0.53€
10 - 24 0.41€ 0.50€
25 - 49 0.29€ 0.35€
50 - 99 0.28€ 0.34€
100 - 149 0.25€ 0.30€
150 - 1678 0.23€ 0.28€
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Conjunto de 10

1N4002. VRRM: 100V. Vivienda: DO41. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 100V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: <50uA / 100V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie de productos: 1N40. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 22:25.

Documentación técnica

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VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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1N4005

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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms
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