Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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1N4003

1N4003
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1 - 4 0.49€ 0.59€
5 - 9 0.47€ 0.57€
10 - 24 0.44€ 0.53€
25 - 49 0.43€ 0.52€
50 - 99 0.42€ 0.51€
100 - 149 0.36€ 0.44€
150 - 561 0.34€ 0.41€
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10 - 24 0.44€ 0.53€
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1N4003. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Producto original del fabricante DC Components. Cantidad en stock actualizada el 07/06/2025, 21:25.

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VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30Ap/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--27Ap. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V
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