Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de alta velocidad. Fecha de producción: 2014/22. Marcado en la caja: A6. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 0.5uA. Resonancia magnética (mín.): 1nA. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1V

Corriente directa (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOD-523. Vivienda (según ficha técnica): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: .W. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 45. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 46. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: independiente. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 47 s. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mA t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V

Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1.5us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de baja fuga. Nota: baja corriente inversa. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V

VRRM: 70V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.07A. Tipo de diodo: choco. Voltaje directo (máx.): <1V / 0.015A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 100nA / 50V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 5ns. Serie: BAS

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodos de barrera Schottky de conmutación rápida de vidrio. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V

VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Vivienda: 10pF. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.80V / 0.1A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 2uA / 25V. Serie: BAS. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 2uA. Información: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: sí. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V

Corriente directa (AV): 30mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Doble: NINCS. Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Nota: serigrafía/SMD código 53s. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 53s. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V

Corriente directa (AV): 130mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Nota: serigrafía/SMD código 54s. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 54s. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V

Corriente directa (AV): 30mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Nota: serigrafía/código SMD 55s. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 55s. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V

Corriente directa (AV): 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo de conmutación de banda VHF/UHF. Marcado en la caja: A2. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.2V

Corriente directa (AV): 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: Sb. Función: Diodo de conmutación de banda VHF/UHF 10MHz. Marcado en la caja: AUs. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 120ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. RoHS: sí. Tensión directa Vf (mín.): 0.4V. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. Spec info: 750mAp t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.45V

Vivienda: DO35. VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1V / 0.2A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 0.5uA / 25V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 5ns. Serie: BAT4. MSL: n/a

Vivienda: DO35. VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.33V / 2mA. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 0.5uA / 25V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 5ns. Serie: BAT4. MSL: n/a

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. Cj: 6pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.25V

Corriente directa (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 10 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L4. Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L42 o V3. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L43 o W1. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD-323. Corriente directa [A]: 0.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de silicio. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 1A. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. RoHS: sí. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L44 o V4. Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV