Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOD-523. Vivienda (según ficha técnica): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: .W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 45. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 46. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Estructura dieléctrica: ánodo común. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Vivienda: SOT-143. Vivienda (según ficha técnica): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Estructura dieléctrica: independiente. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky, Montaje en superficie. Marcado en la caja: 47 s. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.38V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1.5us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de baja fuga. Nota: baja corriente inversa. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodos de barrera Schottky de conmutación rápida de vidrio. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 200mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky para señales pequeñas, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD80. Vivienda (norma JEDEC): Sb. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.2uA..2uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80C. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.24V. VRRM: 30 v. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Corriente directa (AV): 130mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 54s. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: serigrafía/SMD código 54s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF

Corriente directa (AV): 30mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 55s. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Nota: serigrafía/código SMD 55s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF

Corriente directa (AV): 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo de conmutación de banda VHF/UHF. Marcado en la caja: A2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm

Corriente directa (AV): 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: Sb. Función: Diodo de conmutación de banda VHF/UHF 10MHz. Marcado en la caja: AUs. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 120ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 0.5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.65V. Tensión directa Vf (mín.): 0.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms)

Corriente directa (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. RoHS: sí. Cj: 6pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): DO-35. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.25V. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms

Corriente directa (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 40V. RoHS: sí. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 10 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L4. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L43 o W1. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD-323. Corriente directa [A]: 0.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de silicio. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. RoHS: sí. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.4V @ 10mA. Marcado en la caja: L44 o V4. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Corriente directa (AV): 20mA. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323. VRRM: 40V. Material semiconductor: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 200nA. Marcado en la caja: BAT83S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sí. Paso: 1.6x3.9mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 330mV. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de pequeña señal. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-34. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 2uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. RoHS: sí. Cj: 10pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: BAT85S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. Paso: 1.6x3.9mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Nota: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 900mV. Tensión directa Vf (mín.): 300mV. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Marcado en la caja: BTA86S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. Dimensiones: 3.9x1.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 900mV. Tensión directa Vf (mín.): 300mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Función: Diodos de conmutación de pequeñas señales, alto voltaje