Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 130mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Nota: serigrafía/SMD código 54s. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 54s. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V

Corriente directa (AV): 30mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 4 v. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Función: Aplicaciones de mezclador en rango VHF/UHF. Nota: serigrafía/código SMD 55s. Resonancia magnética (máx.): 1.25uA. Resonancia magnética (mín.): 0.25uA. Marcado en la caja: 55s. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.2V

Corriente directa (AV): 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo de conmutación de banda VHF/UHF. Marcado en la caja: A2. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.2V

Corriente directa (AV): 0.1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23. VRRM: 35V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Material semiconductor: Sb. Función: Diodo de conmutación de banda VHF/UHF 10MHz. Marcado en la caja: AUs. Número de terminales: 3. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tf (tipo): 120ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 0.5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.65V. Tensión directa Vf (mín.): 0.4V

Corriente directa (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 6pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): DO-35. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.25V

Corriente directa (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 10 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Marcado en la caja: L43 o W1. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD-323. Corriente directa [A]: 0.3A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de silicio. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 1A. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 5 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-cátodo común (punto medio). Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 0.4V @ 10mA. Marcado en la caja: L44 o V4. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV

Corriente directa (AV): 20mA. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323. VRRM: 40V. Material semiconductor: Sb. Nota: IFSM 0.75App/10ms. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 200nA. Marcado en la caja: BAT83S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sí. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Paso: 1.6x3.9mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 330mV

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo Schottky de pequeña señal. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DO-34. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Tensión directa Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 30 v. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 2uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 5 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 2uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: BAT85S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. RoHS: sí. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Paso: 1.6x3.9mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 800mV. Tensión directa Vf (mín.): 240mV

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-34 ( SOD68 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Nota: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 900mV. Tensión directa Vf (mín.): 300mV

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 10000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Marcado en la caja: BTA86S. Número de terminales: 2. Temperatura: +125°C. Dimensiones: 3.9x1.6mm. RoHS: sí. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 900mV. Tensión directa Vf (mín.): 300mV

Corriente directa (AV): 250mA. IFSM: 1A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de conmutación de pequeñas señales, alto voltaje. Número de terminales: 2. Temperatura: +175°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de uso general. Nota: S. Nota: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 0.6A. Vivienda: DO-35 ( SOD27 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Material semiconductor: silicio. Nota: Diodo de conmutación de pequeñas señales. Nota: Ifsm--4A/1uS. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-323. Vivienda (según ficha técnica): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: sí. Cj: 2pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafía/código SMD A1. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 0.15uA. Marcado en la caja: A1. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.715V

Corriente directa (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 155A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, conductores axiales. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.83V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V