Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 200V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de recuperación suave y rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de recuperación suave y rápida . RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Corriente directa (AV): 2.3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms

Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: sí. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Marcado en la caja: BYS109. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Peso: 0.064g. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 500V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Tr: 50 ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V. Número de terminales: 2. Nota: pieza metálica conectada al cátodo. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Corriente directa (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de conmutación y rectificación rápida. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 200 ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Número de terminales: 2

Corriente directa (AV): 1.25A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: Rectificadores rápidos de mesa de silicio. Nota: 30App/10ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de rectificación y conmutación muy rápido.. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de rectificación y conmutación muy rápido.. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 20A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.07V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS