Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Marcado en la caja: BYS109. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Peso: 0.064g. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 500V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: Vf<1.05V. Nota: S-L ->I<-. Nota: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: pieza metálica conectada al cátodo. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de conmutación y rectificación rápida. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 200 ns. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V

Corriente directa (AV): 1.25A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores rápidos de mesa de silicio. Nota: 30App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de rectificación y conmutación muy rápido.. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de rectificación y conmutación muy rápido.. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 20A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Conmutación de diodo Schottky. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rápida recuperación suave . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.07V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V

Corriente directa (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de vidrio sinterizado rápido de avalancha . Fecha de producción: 201412. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: BYV28-200. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.89V

Corriente directa (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 0.93V

Corriente directa (AV): 9A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 125A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST. Nota: cátodo común. Marcado en la caja: BYV32E-200. Equivalentes: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Marcado en la caja: BYV34-500. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores rápidos de mesa de silicio. Fecha de producción: 2013/40. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos rectificadores, ultrarrápidos, resistentes. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos rectificadores, ultrarrápidos, resistentes. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V

Corriente directa (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-2. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.83V