Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

VRRM: 1300V. Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifms 70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 30A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 140uA. Resonancia magnética (mín.): 3uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V

Corriente directa (AV): 4A. Vivienda (según ficha técnica): SOD-57. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: 1000 ns. Nota: 30App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 12A. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: 48...82kHz. Nota: Monitor CRT-GI. Nota: TO-220, SOD113 (carcasa de plástico)

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50°C...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 20uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de recuperación suave y rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de recuperación suave y rápida . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 20Ap f=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Vivienda: SOD-81. Vivienda (según ficha técnica): SOD-81. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 2.3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: S,contr,av. Nota: 45App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 250pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+215°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Diámetro: 12.75mm. Cj: 430pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Número de terminales: 1. RoHS: sí. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Peso: 10g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+200°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Marcado en la caja: BYS109. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Peso: 0.064g. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 16 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 65 ns. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V