Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de recuperación rápida . Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 255A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220L. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V

Corriente directa (AV): 25A. IFSM: 350A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Nota: cátodo (1), ánodo (2), no conectado (3). Nota: paquete TO220 aislado. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: 350Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V

Corriente directa (AV): 0.2A. Vivienda: SOT-323. Vivienda (según ficha técnica): SOT-323. VRRM: 20V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultra High Speed Switching. Nota: serigrafía/código CMS UMD3. Marcado en la caja: UMD3. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Dimensiones: 3x12mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 40V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Corriente directa (AV): 20mA. IFSM: 500mA. Vivienda (según ficha técnica): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alto voltaje. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Dimensiones: 3x12mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 40V

Corriente directa (AV): 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrahigh-Definition Display Applications. Nota: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 180A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo ultrarrápido de alta eficiencia. Marcado en la caja: 20LC30. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20us. Material semiconductor: silicio. Función: DIODE-RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: DGP30L. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: diodo de silicio dual. Nota: DAMPER +MODULATION. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): T0-220AB. VRRM: 1500V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: diodo de silicio dual. Nota: DAMPER +MODULATION. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 11A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 78W. RoHS: sí. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.6V. Tensión directa Vf (mín.): 2.2A

Corriente directa (AV): 100A. IFSM: 600A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 357W. RoHS: sí. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial (FRED) . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.55V

Corriente directa (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo dual de recuperación rápida. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.17V

Corriente directa (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo dual de recuperación rápida. Nota: diodo epitaxial, alta corriente. Nota: 900App/10ms, 45°C. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Tiempo de entrega: KB. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.87V. Tensión directa Vf (mín.): 1.61V

Corriente directa (AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo dual de recuperación rápida. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 357W. RoHS: sí. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.89V

Corriente directa (AV): 37A. IFSM: 375A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V

Corriente directa (AV): 37A. IFSM: 375A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 138W. RoHS: sí. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V. Tensión directa Vf (mín.): 2V

Corriente directa (AV): 28A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 138W. RoHS: sí. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.55V. Tensión directa Vf (mín.): 2.2V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1000V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 189W. RoHS: sí. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 52A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 189W. RoHS: sí. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.55V. Tensión directa Vf (mín.): 2V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: sí. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Doble: sí. Material semiconductor: silicio. Función: Recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Diodo epitaxial (FRED) . Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 90A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 0.5mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.79V

Corriente directa (AV): 70A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 650uA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Spec info: 500Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.66V. Tensión directa Vf (mín.): 1.74V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 500A. Vivienda: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Vivienda (según ficha técnica): ISOPLUS247. VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 650uA. Configuración: carcasa aislada, sin taladrar. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 190W. RoHS: sí. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=45°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.66V. Tensión directa Vf (mín.): 1.74V