Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 88A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 20 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodos rectificadores ultrarrápidos (máx, 25 ns). Nota: Viso 2500V, Cisol 10pF. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 200 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Nota: Diodo de conmutación y rectificación rápida. Resonancia magnética (máx.): 46.4k Ohms. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-57 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: Mesa Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 0.1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI S. Nota: 100App/10ms. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220B. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Ifsm 100A/10ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 70A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de avalanchas controlados de rápida recuperación suave . Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--70App / 10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 70A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de avalancha controlado de rápida recuperación suave. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--70Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.25V

Corriente directa (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI. Nota: BYX10GP

Corriente directa (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 10A. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: 11 mm, 6 caras. Nota: GI-L. Nota: Hilo M5

Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 300V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI

Corriente directa (AV): 20mA. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Circuito controlador LED 20mA/45V. Nota: Controlador LED de corriente constante. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: para una disipación de 1W sin refrigeración, máx, 25V. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

RoHS: sí. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: diodo de silicio. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMB. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 0.04A. Ifsm [A]: 0.046A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 10..90V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: Sb. Función: diodo Schottky. Número de terminales: 3. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Nota: Uf 0.98V. Nota: Diodo de recuperación ultrarrápida. Nota: Ifsm--65App

Corriente directa (AV): 5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Función: ULTRA FAST DUAL DIODE. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--50A10mS. Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--50A t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 275A. Vivienda: DO-4. Vivienda (según ficha técnica): DO-4P. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Función: diodo de potencia. Rosca del casquillo: M5. Spec info: 275App/10ms. Peso: 6g. Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -25...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 275A. Vivienda: DO-4. Vivienda (según ficha técnica): DO-4P. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Función: diodo de potencia. Rosca del casquillo: M5. Spec info: 275App/10ms. Peso: 6g. Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -25...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 40A. IFSM: 600A. Vivienda: DO-5. Vivienda (según ficha técnica): DO-5P. VRRM: 800V. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Función: diodo de potencia. Rosca del casquillo: M6. Spec info: 600App/10ms. Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -25...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 40A. IFSM: 600A. Vivienda: DO-5. Vivienda (según ficha técnica): DO-5P. VRRM: 800V. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Función: diodo de potencia. Rosca del casquillo: M6. Spec info: 600App/10ms. Montaje/instalación: tornillo. Temperatura de funcionamiento: -25...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Vivienda: DO-205. Vivienda (según ficha técnica): DO-205AC. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Nota: DO-8P invertida, rosca M12. Nota: Ánodo de carcasa roscada (alta corriente)

Corriente directa (AV): 15.9A. IFSM: 300A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP-3. VRRM: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de recuperación rápida . Número de terminales: 3. Temperatura: +125°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 255A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220L. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 20uA. Número de terminales: 3. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V

Corriente directa (AV): 25A. IFSM: 350A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4us. Material semiconductor: silicio. Función: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Nota: cátodo (1), ánodo (2), no conectado (3). Nota: paquete TO220 aislado. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: 350Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.6V. Tensión directa Vf (mín.): 1.6V