Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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DSEI2X101-06A

DSEI2X101-06A
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1 - 1 32.37€ 39.17€
2 - 2 30.75€ 37.21€
3 - 4 29.13€ 35.25€
5 - 9 27.51€ 33.29€
10 - 14 26.87€ 32.51€
15 - 18 26.22€ 31.73€
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DSEI2X101-06A. Corriente directa (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.17V. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 4. Función: diodo dual de recuperación rápida. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 09:25.

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Corriente directa (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Tiempo de entrega: KB. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.87V. Tensión directa Vf (mín.): 1.61V. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Nota: diodo epitaxial, alta corriente. Nota: 900App/10ms, 45°C. Función: diodo dual de recuperación rápida. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C
DSEI2X101-12A
Corriente directa (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Vivienda: ISOTOP ( SOT227B ). Vivienda (según ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 40 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 1.5mA. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Tiempo de entrega: KB. Montaje/instalación: tornillo. Tecnología: Diodo epitaxial . Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.87V. Tensión directa Vf (mín.): 1.61V. Unidad de acondicionamiento: 10. Cantidad por caja: 2. Nota: diodo epitaxial, alta corriente. Nota: 900App/10ms, 45°C. Función: diodo dual de recuperación rápida. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C
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