Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220/2. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: SAMSUNG CHASS.KS3A D802

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: SAMSUNG. Nota: -RECTIFIER

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: 0402-000491. Nota: YG911S2. Nota: -RECTIFIER

Corriente directa (AV): 2.5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: SAMSUNG 0402-000431. Nota: diodo rectificador

Vivienda (según ficha técnica): TOP-3P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: DAMPER +MODULATION. Nota: diodo de silicio dual

Corriente directa (AV): 5A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 1500V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Nota: diodo Schottky. Nota: Ifsm--50A. Nota: diodo de silicio dual

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: Rectificadores de recuperación rápida . Nota: 30App/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Spec info: 30App/8.3ms

Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 60App/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 60App/8.3ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15. VRRM: 1000V. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30App/10ms

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Nota: 100App/10ms. Número de terminales: 2. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Diodo Trr (Mín.): 500 sn. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Recovery Rectifier. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de unión pasivado de vidrio de alto voltaje . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3V. Tensión directa Vf (mín.): 3V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: HER103G. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 2