Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30App/10ms

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: FAST RECOVERY RECTIFIER. Nota: IFSM--200Ap/8.3mS. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Nota: 100App/10ms. Número de terminales: 2. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Diodo Trr (Mín.): 500 sn. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador rápido de silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 200A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Recovery Rectifier. Número de terminales: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2us. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de unión pasivado de vidrio de alto voltaje . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 3V. Tensión directa Vf (mín.): 3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: HER103G. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Equivalentes: HER105G. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador de alta eficiencia. Equivalentes: HER108G. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: pico de 150A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Peso: 0.4g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Nota: diodo rectificador de alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Peso: 1.1g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 150A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 75 ns. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm--60Aps. Pd (disipación de potencia, máx.): 14W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcado en la caja: HFA08TB60. Equivalentes: 39.2k Ohms. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Spec info: IFRM 24A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 50A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Resonancia magnética (máx.): 400uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: HFA15TB60. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V