Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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FR103

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1 - 9 0.19€ 0.23€
10 - 24 0.18€ 0.22€
25 - 49 0.17€ 0.21€
50 - 99 0.17€ 0.21€
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FR103. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de recuperación rápida . Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: 30App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Producto original del fabricante Taiwan Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 26/07/2025, 08:25.

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RoHS: sí. Vivienda: DO-41. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tensión directa Vfmax (V): 1.2V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 200 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
1N4937
RoHS: sí. Vivienda: DO-41. Familia de componentes: Diodo rectificador rápido (tr<500ns). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda (norma JEDEC): DO-204AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tensión directa Vfmax (V): 1.2V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..100uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 200 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida para alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V
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Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO41. VRRM: 200V. Cj: 15pF. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida para alta eficiencia. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. RoHS: sí. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V
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