Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 60A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 18 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Marcado en la caja: HFA08TB60. Equivalentes: 39.2k Ohms. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. RoHS: sí. Spec info: IFRM 24A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V

Corriente directa (AV): 8A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Ultrafast. Nota: Ifsm 60Aps. Pd (disipación de potencia, máx.): 36W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 50A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 42 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Resonancia magnética (máx.): 400uA. Resonancia magnética (mín.): 1uA. Marcado en la caja: HFA15TB60. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 25A. IFSM: 225A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Resonancia magnética (máx.): 600uA. Resonancia magnética (mín.): 1.5uA. Equivalentes: VS-HFA25TB60-M3. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--225Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 19 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 6A. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Nota: D30. Nota: Hilo M4. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO214AC (SMA). VRRM: 40V. Corriente rectificada promedio por diodo: 3A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.51V / 3A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 50uA / 40V. Información: 3rd Gen. Serie: L217

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C

Corriente directa (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificadores de conmutación de alta velocidad. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. RoHS: sí. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.62V

Vivienda: miniMELF. VRRM: 75V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.2A. Tipo de diodo: Switching. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): 1V / 100mA. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 5uA / 75V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 4ns. Serie: LL4448

Corriente directa (AV): 1A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: SAMSUNG

Corriente directa (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Doble: Doble. Material semiconductor: silicio. Nota: diodo de silicio dual

Vivienda: SOD123. VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 0.5A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): 0.43V / 0.5A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: 130uA / 30V. Serie: MBRB

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V

Corriente directa (AV): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Material semiconductor: Sb. Nota: Diodo rectificador Schottky. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Resonancia magnética (máx.): 0.2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.2mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.99V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V

Corriente directa (AV): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Material semiconductor: Sb. Nota: B1045. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 150A. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. Marcado en la caja: B1060. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 45V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: diodo para fuente de alimentación conmutada, doble, Schottky. Resonancia magnética (máx.): 15mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.84V. Tensión directa Vf (mín.): 0.57V

Corriente directa (AV): 7.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 60V. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Nota: diodo para cambiar la fuente de alimentación. Nota: 15A/150App. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 16A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semiconductor: Sb. Función: Rectificadores de barrera . Equivalentes: MBR1645G. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: Ifsm 150App / 8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.63V

Corriente directa (AV): 16A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Material semiconductor: Sb. Función: Rectificadores de barrera . Número de terminales: 3. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.63V. Tensión directa Vf (mín.): 0.57V

Corriente directa (AV): 16A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Material semiconductor: Sb. Nota: Rectificadores de barrera . Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms