Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 60mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.72V. Tensión directa Vf (mín.): 0.6V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 250A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo Schottky doble. Resonancia magnética (máx.): 60mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: IFSM--250Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.65V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 100V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1500. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Marcado en la caja: B3100. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V. Tensión directa Vf (mín.): 0.69V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1500. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Marcado en la caja: B340. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: IFMS 80App/8.3ms, 60Hz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 9.5x5.0mm ). VRRM: 60V. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 1500. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: Sb. Marcado en la caja: B360. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: IFMS 150App/8.3ms, 60Hz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.08V. Tensión directa Vf (mín.): 0.6V

Corriente directa (AV): 40A. IFSM: 80A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 CASE 221A. VRRM: 250V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: Sb. Función: Schottky de modo conmutado, rectificador de potencia. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.97V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 40A (2x20A). IFSM: 400A (2x200A). Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AD. VRRM: 45V. Cantidad por caja: 2. Material dieléctrico: cátodo común. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -60...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.8V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V

Corriente directa (AV): 7.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 45V. Material semiconductor: Sb. Nota: diodo para cambiar la fuente de alimentación. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 7.5A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 60V. Material semiconductor: Sb. Nota: diodo para cambiar la fuente de alimentación. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: D-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-252. Corriente directa [A]: 2 X 3A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 3. Ifsm [A]: 75A. Tensión directa Vfmax (V): 0.7V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 50V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.1mA..15mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 75A. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): Dpak-3. VRRM: 35V. Función: Energía de alto voltaje Schottky . Resonancia magnética (máx.): 35mA. Resonancia magnética (mín.): 1.4mA. Marcado en la caja: 853LG. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.51V. Tensión directa Vf (mín.): 0.41V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 100V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: diodo de silicio dual. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AA. VRRM: 40V. Material semiconductor: Sb. Nota: Vf 0.6V/1A. Nota: serigrafía/código SMD B14L. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA. VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Marcado en la caja: B19. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: serigrafía/código SMD B19. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.75V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 130A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B310. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V. Spec info: Vf 0.79V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Marcado en la caja: B320. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.84V. Tensión directa Vf (mín.): 0.84V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B33. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B34. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.525V. Tensión directa Vf (mín.): 0.525V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V

Corriente directa (AV): 75A. IFSM: 1200A. Vivienda: TO-240. Vivienda (según ficha técnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: módulo de diodo, Diodo epitaxial de recuperación rápida (FRED) . Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensiones 92x20,8x30mm. Nota: módulo de 2 diodos. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: aislamiento 3600V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.58V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Distribución de pines: Tornillos M6 (x3). Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Módulo de diodo de red, alta corriente. Número de terminales: 3. Dimensiones: 94x34x30mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 1100W. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Aislamiento eléctrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnología: diodo de cátodo común dual (HiPerFREDTM). Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafía/código SMD D6. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Marcado en la caja: D6. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: diámetro 8 mm x 7,5 mm . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB