Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A08. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8x7.5mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 5A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 10uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1000V

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A12. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 10A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador Schottky (serie Mega). Marcado en la caja: EQ. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.66V. Tensión directa Vf (mín.): 0.21V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Nota: DAEWOO TV

Nota: SONY TV

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación rápida, diodo de recuperación rápida.. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: IFMS 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Silicon epitaxial planer. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.65V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFMS 50Ap. Peso: 0.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100us. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 2V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 60A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 3V. Tensión directa Vf (mín.): 3V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 0.5A. IFSM: 20A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 200V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Nota: GI, S. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 400V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de conmutación rápida. Nota: GI, S. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 50App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 50App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Vivienda: DO-204. Vivienda (según ficha técnica): DO-204AC. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: Conmutación de alta velocidad. Nota: 50App/8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Paso: 9.5x5.3mm

Corriente directa (AV): 2A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S. Nota: Ifsm--80A/8.2ms. Paso: 9.5x5.3mm

Corriente directa (AV): 3A. VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Nota: 125A/PP. Nota: GI, S

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Nota: GI, S. Nota: 125App/8.3ms. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB