Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.

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Audio (307)Automatización (19)Cables (1760)Cajas para electrónica (1202)Componentes pasivos (10159)Computer (56)Conectores (5643)Electrónica de ocio (529)Energía (1281)Enfriamiento (750)Herramientas (1366)Interruptores (926)Optoelectrónica (1955)Partes mecanicas (423)Protección eléctrica (1131)Relés (843)Reparando (942)Semiconductores (14316)Transformadores (547)

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Cajas para electrónica

Componentes pasivos

Electrónica de ocio

Optoelectrónica

Partes mecanicas

Protección eléctrica

Semiconductores

Transformadores

Semiconductores Diodos

Diodos estándar y rectificadores

Diodos estándar y rectificadores

30 v (10)

4 v (2)

15V (1)

20V (4)

25V (1)

30V (1)

35V (4)

40V (33)

45V (14)

50V (9)

60V (23)

70V (4)

75V (4)

80V (4)

85V (2)

90V (5)

100V (42)

125V (1)

150V (7)

170V (1)

200V (66)

250V (4)

300V (11)

350V (2)

400V (32)

500V (5)

530V (1)

600V (73)

650V (1)

800V (23)

1000V (50)

1200V (24)

1300V (1)

1500V (18)

1600V (6)

2000V (2)

4000V (1)

12000V (2)

16000V (1)

10A/diode (2)

120Ap / 8.3ms (1)

150Ap / 8.3ms (1)

155A / 50Hz, 180A / 60Hz (1)

2 X 3A (1)

2x100A (1)

2x123A (1)

2x91A (1)

2x96A (1)

400A (2x200A) (1)

40A (2x20A) (1)

50A / 10mS (1)

800A (tp=5us), 70A (tp=10ms) (1)

80A (tp=10ms) (1)

n/a (1)

pico de 150A (1)

0.1A (5)

0.115A (2)

0.15A (1)

0.2A (13)

0.25A (5)

0.3A (2)

3.3mA (1)

0.36A (1)

0.5A (7)

0.6A (7)

0.75A (2)

0.8A (3)

1A (76)

1.2A (3)

1.25A (1)

1.3A (3)

1.4A (1)

1.5A (16)

15mA (3)

20mA (4)

2A (40)

2.3A (1)

2.5A (2)

30mA (2)

3A (71)

3.1A (1)

3.5A (2)

40mA (1)

4A (10)

50mA (1)

5A (39)

6A (11)

7.5A (5)

8A (26)

9A (1)

100mA (1)

10A (26)

11A (1)

120mA (1)

12A (5)

12.7A (1)

130mA (2)

150mA (3)

15A (19)

15.9A (1)

16A (6)

19A (1)

200mA (9)

20A (19)

215mA (1)

250mA (2)

25A (5)

27A (3)

28A (1)

300mA (2)

30A (44)

350mA (1)

35A (6)

37A (2)

400mA (1)

40A (18)

45A (2)

500mA (7)

50A (38)

52A (1)

55A (1)

600mA (3)

60A (16)

62A (9)

625mA (1)

70A (13)

750mA (1)

75A (14)

80A (24)

88A (1)

90A (3)

100A (32)

110A (9)

125A (8)

130A (1)

150A (26)

155A (1)

165A (2)

180A (2)

200A (12)

220A (1)

225A (1)

250A (6)

255A (1)

265A (1)

270A (1)

275A (4)

280A (1)

300A (12)

310A (1)

325A (1)

330A (2)

340A (1)

350A (1)

375A (2)

400A (6)

500A (8)

550A (1)

570A (9)

600A (4)

800A (2)

850A (1)

880A (1)

900A (1)

1200A (7)

1500A (1)

1600A (1)

2500A (1)

60.4k Ohms (6)

063 (1)

318–08, SOT–23 (TO–236AB) (1)

3x12mm (2)

425AB SMA (3.8x1.9mm) (1)

7.3x22mm (1)

A-405 (5.2x2.7mm) (1)

CASE 59-10 (7.3x3.4mm) (1)

D-PAK (1)

D-PAK ( TO-252 ) (4)

D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05 (1)

D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03 (3)

D2A ( 4.0x7.2mm ) (1)

D2PAK ( TO-263 ) (5)

DO-15 (30)

DO-15 ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-15 ( 3.2x6.7mm ) (4)

DO-15 ( 3.2x7.2mm ) (5)

DO-15 ( 3.3x6.4mm ) (3)

DO-15 ( 3.5x7.5mm ) (3)

DO-15 ( 6.0x3.4mm ) (1)

DO-15 ( 6.3x3.0mm ) (2)

DO-15 ( 7.6x3.6mm ) (3)

DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm (1)

DO-201 (48)

DO-201 ( 4.4x7.5mm ) (1)

DO-201 ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201 ( 6.5x8.0mm ) (1)

DO-201 ( 7.5x5.4mm ) (6)

DO-201 ( 9.5x5.0mm ) (3)

DO-201AD (11)

DO-201AD ( 4.5x7.5mm ) (2)

DO-201AD ( 5.3x9.0mm ) (4)

DO-201AD ( 5.6x10mm ) (1)

DO-201AD ( 7.5x5.4mm ) (2)

DO-201AD ( 8.8x5.1mm ) (3)

DO-201AD ( 9.0x5.3mm ) (2)

DO-201AD ( 9.1x5.2mm ) (1)

DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ) (1)

DO-201AD ( 9.2x5.3mm ) (1)

DO-201AD ( 9.5x5.3mm ) (1)

DO-201AD 8x6mm (1)

DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ) (1)

DO-203AB (13)

DO-203AB ( DO-5 ) (15)

DO-204 (8)

DO-204AC (3)

DO-204AL ( 2.7x5.2mm ) (3)

DO-204AL ( 5.2x2.7mm ) (1)

DO-204AP (1)

DO-205 (3)

DO-205AC (1)

DO-213 (4)

DO-213AB ( 2.5x5mm ) (4)

DO-214 (48)

DO-214AA (1)

DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm (1)

DO-214AB ( SMC ) (2)

DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm (2)

DO-214AC (1)

DO-214AC ( SMA ) (1)

DO-214AC (SMA), 4.6x2.7mm (3)

DO-247 (2)

DO-27 (14)

DO-27 ( 5.2x8.0mm ) (1)

DO-27 ( 6.5x8.0mm ) (3)

DO-27 ( 9.2x5.2mm ) (4)

DO-27 ( 9x5.3mm ) (1)

DO-27 (5.4x7.5mm) (1)

DO-27 (5.6 x 9.5mm) (1)

DO-27 (9.5x5.6mm) (1)

DO-27( 5.5x9.5mm ) (2)

DO-34 (1)

DO-34 ( 1.6x3.04 ) (1)

DO-34 ( 3.4x1.6mm ) (1)

DO-34 ( SOD68 ) (3)

DO-35 (19)

DO-35 ( 1.6x3.9mm ) (1)

DO-35 ( SOD27 ) (19)

DO-4 (2)

DO-41 (46)

DO-41 ( 2.5x4.8mm ) (2)

DO-41 ( 2.6x4.8mm ) (1)

DO-41 ( 2.6x4.9mm ) (1)

DO-41 ( 2.7x5.0mm ) (1)

DO-41 ( 5.0x2.7mm ) (1)

DO-41 ( 5.2X2.7mm ) (6)

DO-41 ( 5.2x2.7 ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) (11)

DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ) (1)

DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ) (1)

DO-4P (2)

DO-5 (2)

DO-5P (2)

DO41 (2)

Dpak-3 (1)

ISOPLUS247 (1)

ISOPLUS247 ( TO-247 ) (1)

ISOTOP (1)

ISOTOP ( SOT227B ) (7)

ISOWATT TO-220AC (1)

P-600 (1)

P600 ( 8x7.5mm ) (1)

POWERTAB (3)

R-6 (8)

R-6 ( 8.9x8.8mm ) (1)

R-6 ( 8x7.5mm ) (3)

R-6 ( 9.1x7.2mm ) (1)

R-6 ( 9x9mm ) (1)

R-6 (8.8x7mm) (1)

R-6 (9.1x9.1mm) (1)

SMA (1)

SMA (4.6x2.8 mm) (1)

SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ) (2)

SMA DO214AC (3)

SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ) (1)

SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ) (7)

SMB (1)

SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ) (2)

SMB / DO214AA (1)

SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ) (1)

SMB DO-214AA (1)

SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ) (2)

SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA (2)

SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ) (1)

SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ) (2)

SMC (8,1x6,2x2,6mm) (1)

SMC / DO214AB (1)

SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ) (5)

SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ) (2)

SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ) (1)

SMC DO214AB (1)

SMD 0805 (1)

SOD-123 (5)

SOD-323 (8)

SOD-323 ( 1.7x1.25mm ) (1)

SOD-323F (2)

SOD-523 (2)

SOD-57 (1)

SOD-57 ( Glass ) (11)

SOD-57 Glass (8)

SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ) (1)

SOD-57 Glass passivated (2)

SOD-64 ( Glass ) (13)

SOD-64 Glass (12)

SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ) (1)

SOD-80 (1)

SOD-80 ( 3.4x1.6mm ) (1)

SOD-80 ( 3.5x1.5mm ) (1)

SOD-80C (1)

SOD-81 (6)

SOD123 (2)

SOD123 ( 2.85x1.7mm ) (1)

SOD123W SMA (2.9x1.9mm) (2)

SOT-143 (1)

SOT-143B (1)

SOT-23 (3)

SOT-23 ( TO-236 ) (16)

SOT-23 ( TO236 ) (10)

SOT-23-3 (1)

SOT-23L (1)

SOT-323 (3)

SOT323 (1)

SOT78 (TO-220AB) (1)

T0-220AB (1)

T0-220FPAB (1)

TO-220 (85)

TO-220 CASE 221A (1)

TO-220-2 (1)

TO-220-2 (TO-220AC) (1)

TO-220/2 (2)

TO-220A-2P (1)

TO-220AB (17)

TO-220AB ( SOT78 ) (4)

TO-220AB, SOT78 (1)

TO-220AC (33)

TO-220AC ( SOD59 ) (1)

TO-220AC-2 (4)

TO-220AC-2P (1)

TO-220AC-3P (4)

TO-220B (1)

TO-220F (10)

TO-220F-2L (3)

TO-220F-3 (1)

TO-220FN (1)

TO-220FP (21)

TO-220FP-3 (1)

TO-220FPAC (2)

TO-220L (1)

TO-240 (1)

TO-240AA (1)

TO-247 (28)

TO-247-2 (1)

TO-247-2LD, CASE 340CL (1)

TO-247AC (3)

TO-247AC 3L (2)

TO-247AD (15)

TO-252 (1)

TO-252A ( Dpak ) (1)

TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ) (2)

TO-263 (2)

TO-263 ( D2PAK ) (1)

TO-3FP (1)

TO-3P (5)

TO-3P ( TO-218 SOT-93 ) (6)

TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) (1)

TO220-3 (1)

TOP-3P (1)

TS-1 ( 2.5x3.3mm ) (1)

soldadura de PCB (1)

soldadura de PCB (SMD) (5)

12.7k Ohms (4)

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MUR6060

MUR6060

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MUR6060

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 550A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: SWITCHMODE Power Rectifiers. Marcado en la caja: MUR 6060. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Nota: Diodo de recuperación ultrarrápida

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MUR8100

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Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Marcado en la caja: U8100E. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: diodo rectificador ultrarrápido

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Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Marcado en la caja: U8100E. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: diodo rectificador ultrarrápido

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Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Marcado en la caja: U820. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: diodo rectificador ultrarrápido

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Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: MUR860. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Función: diodo rectificador para fuente de alimentación conmutada. Spec info: diodo rectificador ultrarrápido

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MUR860G

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Cantidad en inventario : 42

MUR880

MUR880

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC...

MUR880

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Marcado en la caja: U880E. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: diodo rectificador ultrarrápido

MUR880

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 800V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Marcado en la caja: U880E. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Nota: diodo rectificador ultrarrápido

Conjunto de 1

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(1.50€ sin IVA)

1.82€

Cantidad en inventario : 11961

MURS120T3G

MURS120T3G

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-21...

MURS120T3G

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: U1D. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U1D

MURS120T3G

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diodo Tff(25°C): 25 ns. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Marcado en la caja: U1D. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U1D

Conjunto de 1

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Cantidad en inventario : 1907

MURS160T3G

MURS160T3G

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-21...

MURS160T3G

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: U1J. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U1J

MURS160T3G

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diodo Tff(25°C): 50 ns. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: U1J. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U1J

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Cantidad en inventario : 100

MURS320T3G

MURS320T3G

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-21...

MURS320T3G

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U3D

MURS320T3G

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 150uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.875V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V. Número de terminales: 2. Nota: serigrafía/código CMS U3D

Conjunto de 1

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Cantidad en inventario : 449

MURS360

MURS360

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-21...

MURS360

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V. Número de terminales: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J

MURS360

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 75A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S R6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V. Número de terminales: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J

Conjunto de 1

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Cantidad en inventario : 261

MURS360B

MURS360B

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-2...

MURS360B

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V. Número de terminales: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J

MURS360B

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 0.88V. Número de terminales: 2. Nota: Ultrafast Power Rectifiers. Nota: serigrafía/código CMS U3J

Conjunto de 1

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Cantidad en inventario : 844

P1000M

P1000M

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7....

P1000M

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P1000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

P1000M

Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P1000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Conjunto de 1

1.08€ IVA incl.
(0.89€ sin IVA)

1.08€

Cantidad en inventario : 1696

P2000M

P2000M

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 500A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7....

P2000M

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 500A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P2000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

P2000M

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 500A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: P2000M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Conjunto de 1

1.45€ IVA incl.
(1.20€ sin IVA)

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Cantidad en inventario : 497

P600K

P600K

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9x9mm...

P600K

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A08. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

P600K

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 2500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A08. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.9V. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

Conjunto de 1

0.31€ IVA incl.
(0.26€ sin IVA)

0.31€

Cantidad en inventario : 4749

P600M

P600M

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Viviend...

P600M

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8x7.5mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 10uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 5A. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1000V

P600M

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador estándar. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: D8x7.5mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 10uA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 5A. Vivienda (norma JEDEC): silicio. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: IFSM 400Ap (t=8.3ms). Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. VRRM: 1000V

Conjunto de 1

0.30€ IVA incl.
(0.25€ sin IVA)

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Cantidad en inventario : 134

P600S

P600S

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5...

P600S

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A12. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

P600S

Corriente directa (AV): 6A. IFSM: 400A. Vivienda: R-6. Vivienda (según ficha técnica): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: 6A12. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Conjunto de 1

0.70€ IVA incl.
(0.58€ sin IVA)

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Cantidad en inventario : 2656

PMEG6010CEJ

PMEG6010CEJ

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 10A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323F...

PMEG6010CEJ

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 10A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador Schottky (serie Mega). Marcado en la caja: EQ. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.66V. Tensión directa Vf (mín.): 0.21V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

PMEG6010CEJ

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 10A. Vivienda: SOD-323. Vivienda (según ficha técnica): SOD-323F. VRRM: 60V. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador Schottky (serie Mega). Marcado en la caja: EQ. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.66V. Tensión directa Vf (mín.): 0.21V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Conjunto de 1

0.24€ IVA incl.
(0.20€ sin IVA)

0.24€

Cantidad en inventario : 39

PR1504

PR1504

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( ...

PR1504

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

PR1504

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Material semiconductor: silicio. Función: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Conjunto de 1

1.34€ IVA incl.
(1.11€ sin IVA)

1.34€

En ruptura de stock

PS1010RS

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Vivienda (según ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). Estructura dieléctrica...

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Vivienda (según ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

PS1010RS

IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Vivienda (según ficha técnica): A-405 (5.2x2.7mm). Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Conmutación de alta velocidad. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1

Conjunto de 10

0.69€ IVA incl.
(0.57€ sin IVA)

0.69€

Cantidad en inventario : 24

R2KY

R2KY

Nota: DAEWOO TV...

R2KY

Nota: DAEWOO TV

R2KY

Nota: DAEWOO TV

Conjunto de 1

1.04€ IVA incl.
(0.86€ sin IVA)

1.04€

Cantidad en inventario : 12

R2M

R2M

Nota: SONY TV...

R2M

Nota: SONY TV

R2M

Nota: SONY TV

Conjunto de 1

1.16€ IVA incl.
(0.96€ sin IVA)

1.16€

Cantidad en inventario : 47

RF2001T3D

RF2001T3D

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-22...

RF2001T3D

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Función: Conmutación rápida, diodo de recuperación rápida.. Spec info: IFMS 100Ap

RF2001T3D

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FN. VRRM: 350V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Función: Conmutación rápida, diodo de recuperación rápida.. Spec info: IFMS 100Ap

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RFU20TM5S

RFU20TM5S

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-22...

RFU20TM5S

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

RFU20TM5S

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. VRRM: 530V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 23 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.65V. Spec info: Silicon epitaxial planer

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RG2Y

RG2Y

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): D2A ( 4....

RG2Y

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Peso: 0.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

RG2Y

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Nota: SAMSUNG. Resonancia magnética (máx.): 2.5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Peso: 0.6g. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap

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RG4A

RG4A

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6....

RG4A

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100us. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 2V

RG4A

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-27. Vivienda (según ficha técnica): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 100us. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Nota: SAMSUNG 0402-000250. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 2V. Tensión directa Vf (mín.): 2V

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