Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Marcado en la caja: B320. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.84V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.84V. Tensión directa Vf (mín.): 0.84V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 30 v. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B33. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.50V/3A, (If=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B34. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.525V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.525V. Tensión directa Vf (mín.): 0.525V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB CASE 403A-03 ( 4.32x3.56mm ). VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B36. Equivalentes: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.74V. Tensión directa Vf (mín.): 0.74V

Corriente directa (AV): 75A. IFSM: 1200A. Vivienda: TO-240. Vivienda (según ficha técnica): TO-240AA. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 250 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: módulo de diodo, Diodo epitaxial de recuperación rápida (FRED) . Nota: Ifsm--TVJ=45°C; t=10ms (50 Hz) 1200A. Nota: dimensiones 92x20,8x30mm. Nota: módulo de 2 diodos. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: aislamiento 3600V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.58V. Tensión directa Vf (mín.): 1.8V

Corriente directa (AV): 880A. IFSM: n/a. VRRM: 400V. Distribución de pines: Tornillos M6 (x3). Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 220 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Módulo de diodo de red, alta corriente. Número de terminales: 3. Dimensiones: 94x34x30mm. Pd (disipación de potencia, máx.): 1100W. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--Tvj=25°C, tP=10ms 13000A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Aislamiento eléctrico: 3600V, 50/60Hz. Tecnología: diodo de cátodo común dual (HiPerFREDTM). Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 0.2A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafía/código SMD A6. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.25W. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 200mA. IFSM: 1A. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23-3. VRRM: 100V. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ifsm--2A t=1us, 1A t=1s. Nota: CT--4pF (VR=0V, f=1.0MHz). Nota: serigrafía/código SMD D6. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Marcado en la caja: D6. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.35W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tensión umbral Vf (máx): 1V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 300A. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 300 ns. Material semiconductor: silicio. Nota: diámetro 8 mm x 7,5 mm . Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 10A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1200V. Material semiconductor: silicio. Nota: ScanSwitch. Nota: IFSM 100Aps. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unidad de acondicionamiento: 1000. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalentes: MUR1100ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.75V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): CASE 59-10 (7.3x3.4mm). VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador para fuente de alimentación conmutada. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 2uA. Spec info: IFSM--35App. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 110A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-2. VRRM: 1200V. Cj: 55pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo de recuperación ultrarrápida. Nota: diodo ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 110Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 2.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.9V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 35A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 5.0x2.7mm ). VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador para fuente de alimentación conmutada. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--35App. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.25V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.975V. Tensión directa Vf (mín.): 0.895V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: ánodo común. Diodo Trr (Mín.): 35 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast SMPS. Nota: cátodo común. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcado en la caja: MUR4100E. Equivalentes: MUR4100ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.85V. Tensión directa Vf (mín.): 1.53V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 125A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 25 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marcado en la caja: MUR420. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.89V. Tensión directa Vf (mín.): 0.71V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: MUR460. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.28V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente directa (AV): 4A. IFSM: 70A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Resonancia magnética (máx.): 900uA. Resonancia magnética (mín.): 25uA. Marcado en la caja: MUR480E. Equivalentes: MUR480ERLG. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.85V. Tensión directa Vf (mín.): 1.53V

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 550A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. VRRM: 600V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: SWITCHMODE Power Rectifiers. Nota: Diodo de recuperación ultrarrápida. Marcado en la caja: MUR 6060. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 100A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75us. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador de potencia, Para conmutar fuentes de alimentación. Nota: diodo rectificador ultrarrápido. Marcado en la caja: U8100E. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.8V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V