Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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MBR10100CT

MBR10100CT
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5 - 9 0.90€ 1.09€
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MBR10100CT. Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 00:25.

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MBR10200CT
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.2mA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.99V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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MBR20100CT-C0

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MBR20100CT-C0
Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B20100G. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
MBR20100CT-C0
Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 100V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: B20100G. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.75V. Spec info: Ifsm 150App/60Hz
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MBR10150CT
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
MBR10150CT
Corriente directa (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 0.008mA. Resonancia magnética (mín.): 8uA. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.78V. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky dual. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms)
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En ruptura de stock
ICE3BR1065JF

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Función: Arranque de celda (modo jitter de frecuencia) en FullPak . Marcado en la caja: 3BR1065JF....
ICE3BR1065JF
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ICE3BR1065JF
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3.50€
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FDPF5N50T
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FDPF5N50T
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2.78€ IVA incl.
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SSS7N60A

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Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (...
SSS7N60A
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STF11NM60ND

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0.0455€ IVA incl.
(0.0376€ sin IVA)
0.0455€

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