Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO-214AC ( 4.6x3.83mm ). VRRM: 60V. Material semiconductor: Sb. Nota: serigrafía/código SMD SK24A. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Marcado en la caja: SK26A. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: Vf 0.5V/2A, IFSM 50App 8.3ms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.7V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMC. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AB. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 3A. Ifsm [A]: 100A. Tensión directa Vfmax (V): 0.75V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 500uA..20mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 100V. Cj: 200pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Otro nombre: SK510C. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 100uA. Marcado en la caja: SK510. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SOD-123FL. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 1A. Ifsm [A]: 22A. Tensión directa Vfmax (V): 0.55V @ 1A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 200uA..2mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 165A. IFSM: 2500A. Vivienda: DO-205. Vivienda (según ficha técnica): DO-205. VRRM: 1200V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al ánodo. Utilizado para: también se puede usar para sistemas de paneles solares. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de potencia multiuso. Nota: rosca M12, ojal de 8,2 mm. Número de terminales: 1. Spec info: Ánodo de carcasa roscada (alta corriente). Montaje/instalación: Fijación roscada . Temperatura de funcionamiento: -40...+180°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky, montaje SMD. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: MELF. Vivienda (norma JEDEC): DO-213AB. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tensión directa Vfmax (V): 0.9V @ 3A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 40V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 1mA..10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 20V. Material semiconductor: Sb. Nota: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( 2.5x4.8mm ). VRRM: 60V. Material semiconductor: Sb. Nota: HIGH CURRENT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 200A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. VRRM: 40V. Cj: 700pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--200Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 30 v. Material semiconductor: Sb. Nota: Vf 0.55V. Nota: 50App/8.3ms. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 40V. Cj: 110pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--50Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 2A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 50V. Material semiconductor: Sb. Nota: Vf 0.70V. Nota: 50App/8.3ms. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 2A. Corriente directa (RMS): 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.2x6.7mm ). VRRM: 60V. Cj: 170pF. Material semiconductor: Sb. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Spec info: 50App / 8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.70V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 40V. Cj: 200pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 10mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 60V. Cj: 130pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.7V. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 100V. Cj: 72pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.85V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 5.3x9.0mm ). VRRM: 150V. Cj: 72pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): ns. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 0.1mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--80Ap, t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65°C...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente directa (AV): 5A. Corriente directa (RMS): 150Ap / 8.3ms. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 60V. Cj: 380pF. Material semiconductor: Sb. Nota: RMS Rew--42V. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.7V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD DO-27 ( 5.2x9mm ). VRRM: 100V. Cj: 400pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: SR5100. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 0.85V

Corriente directa (AV): 5A. Corriente directa (RMS): 120Ap / 8.3ms. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD. VRRM: 20V. Cj: 250pF. Material semiconductor: Sb. Número de terminales: 2. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Función: Diodo rectificador Schottky. Marcado en la caja: SR5200. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 150Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 0.95V

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). VRRM: 40V. RoHS: sí. Cj: 100pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): SMA. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 1mA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.6V. Tensión directa Vf (mín.): 0.55V

RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo rectificador Schottky de silicio. Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: SMB. Vivienda (norma JEDEC): DO-214AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Corriente directa [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tensión directa Vfmax (V): 0.7V @ 2A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 60V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 0.4mA..10mA. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS34. Equivalentes: SS34B. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador de barrera Schottky, montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 20mA. Resonancia magnética (mín.): 500uA. Marcado en la caja: SS34. Equivalentes: SS34-E3/9AT. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V