Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 800V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 1.5A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo rectificador rápido, Montaje en superficie. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.3V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-3L. VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 2x15A. IFSM: 2x162A. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Diodo Trr (Mín.): 55 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido dual. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 250uA. Marcado en la caja: RURG3060C. Número de terminales: 3. Spec info: total actual Ifsm 325App. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 80A. IFSM: 500A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247-2. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 125 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodo ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 250uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.9V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V

Corriente directa (AV): 30A. IFSM: 325A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. VRRM: 600V. RoHS: sí. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Recovery Diode. Número de terminales: 2. Spec info: pinout--1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.3V

Corriente directa (AV): 16A. IFSM: 150A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. VRRM: 40V. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Doble: Doble. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: diodo de silicio dual. Nota: Ifsm 150A/10ms. Número de terminales: 3. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.55V. Tensión directa Vf (mín.): 0.48V

VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.1V / 1A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: <50uA / 100V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: S1

Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+155°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cj: 12pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1.8us. Material semiconductor: silicio. Función: diodos rectificadores de uso general. Nota: serigrafía/código SMD 1M. Nota: carcasa 4,6x2,7 mm. Marcado en la caja: 1M. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMA DO214AC. VRRM: 1000V. Cj: 12pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 1.8us. Material semiconductor: silicio. Función: diodos rectificadores de uso general. Nota: serigrafía/código SMD 1M. Nota: carcasa 4,6x2,7 mm. Marcado en la caja: 1 M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 100V. Corriente rectificada promedio por diodo: 2A. Tipo de diodo: diodo rectificador. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <1.15V / 2A. Tipo de montaje: SMD. Corriente de fuga inversa: <100uA / 100V. Tiempo de recuperación inversa (máx.): 1500ns. Serie: S2

Corriente directa (AV): 1.5A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: SOD-64 ( Glass ). Vivienda (según ficha técnica): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Material semiconductor: silicio. Nota: 4.2x4.3mm. Nota: 50App/10ms. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMB DO214AA. VRRM: 1000V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.15V. Tensión directa Vf (mín.): 1.15V

Corriente directa (AV): 5A. IFSM: 180A. Vivienda: DO-214. Vivienda (según ficha técnica): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Diodo Trr (Mín.): 1500 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificación de Red 50/60 Hz. Resonancia magnética (máx.): 250uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: S5M. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -50...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Vivienda: DO15. VRRM: 20V. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.50V / 1A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 500uA / 20V. Serie: SB1. MSL: n/a

Vivienda: DO15. VRRM: 30V. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.50V / 1A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 500uA / 30V. Serie: SB1. MSL: n/a

VRRM: 40V. Vivienda: DO15. Corriente rectificada promedio por diodo: 1A. Tipo de diodo: choco. Configuración de diodo: independiente. Voltaje directo (máx.): <0.50V / 1A. Tipo de montaje: THT. Corriente de fuga inversa: 500uA / 40V. Serie: SB1. MSL: n/a

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 40A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 90V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. Nota: Diodo rectificador Schottky. Nota: IFSM--50Ap/10mS. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 0.79V

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). VRRM: 40V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. Nota: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.5V. Tensión directa Vf (mín.): 0.5V

Vivienda: DO-15. VRRM: 60V. Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 50A. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). RoHS: sí. Tensión directa Vf (mín.): 0.7V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.7V

Corriente directa (AV): 15A. IFSM: 275A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. VRRM: 40V. Cantidad por caja: 2. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky doble. Nota: Total IF(AV) 2ch 30A. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 100A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 100V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.79V

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 175pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky. Resonancia magnética (máx.): 6mA. Resonancia magnética (mín.): 0.001mA. Marcado en la caja: SB3200. Equivalentes: Vishay--VSB3200. Número de terminales: 2. RoHS: sí. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.9V. Tensión directa Vf (mín.): 0.68V