Diodos estándar y rectificadores

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 27A. Vivienda: DO-213. Vivienda (según ficha técnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Número de terminales: 2. Unidad de acondicionamiento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap

Corriente directa (AV): 0.15A. Vivienda: 12.7k Ohms. Vivienda (según ficha técnica): SOD-80. VRRM: 100V. Material semiconductor: Sb. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: IFSM 0.75App/10ms

Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 063. Corriente directa [A]: 0.1A. RoHS: sí. Familia de componentes: Diodo de pequeña señal Montaje en superficie (SMD). Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 2. Ifsm [A]: 2A. Tensión directa Vfmax (V): 1V @ 100mA. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 75V. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 4 ns. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Vivienda: SMD 0805. Corriente directa (AV): 150mA. IFSM: 500mA. VRRM: 100V. RoHS: sí. Cj: 4pF. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 4 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Diodos de alta velocidad. Otro nombre: IN4148. Resonancia magnética (máx.): 50uA. Resonancia magnética (mín.): 25nA. Número de terminales: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm--1us 4A, 1ms 1A, 1s 0.5A

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 45V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky con baja tensión directa, Montaje en superficie (SMD). Resonancia magnética (máx.): 1mA. Marcado en la caja: W3U45. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.47V. Tensión directa Vf (mín.): 0.33V. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 50A. Vivienda: SOD-123. Vivienda (según ficha técnica): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo rectificador Schottky con baja tensión directa, Montaje en superficie (SMD). Resonancia magnética (máx.): 1mA. Marcado en la caja: W3U60. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.58V. Tensión directa Vf (mín.): 0.39V. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms)

Corriente directa (AV): 0.6A. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 100V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 3A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 400V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 8.8x5.1mm ). VRRM: 600V. Cj: 50pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultra fast switching. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=8.2ms

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 600V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 800V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 2. Nota: GI-S

Corriente directa (AV): 1A. Vivienda: DO-41. Vivienda (según ficha técnica): DO-41. VRRM: 1000V. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Ifsm [A]: 33A. Tensión de cierre (repetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corriente de fuga al cerrar Ir [A]: 5uA..50uA. Velocidad de conmutación (tiempo de regeneración) tr [seg.]: 75 ns. Número de terminales: 2. Nota: GI-S. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Tensión directa Vfmax (V): 1.7V @ 1A

Corriente directa (AV): 3A. IFSM: 150A. Vivienda: DO-201. Vivienda (según ficha técnica): DO-201AD ( 9.2x5.3mm ). VRRM: 500V. Cj: 50pF. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.4V. Tensión directa Vf (mín.): 1.4V. Número de terminales: 2. Cantidad por caja: 1. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Corriente directa (AV): 2A. IFSM: 80A. Vivienda: DO-15. Vivienda (según ficha técnica): DO-15 ( 3.5x7.5mm ). VRRM: 200V. Cj: 35pF. Material semiconductor: silicio. Función: diodo rectificador ultrarrápido. Resonancia magnética (máx.): 200uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tr: 15 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 0.8V. Número de terminales: 2. Spec info: IFSM--80A/8.3ms

Corriente directa (AV): 1A. IFSM: 30A. Vivienda (según ficha técnica): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Acondicionamiento: rollo. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalentes: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.7V. Tensión directa Vf (mín.): 1.7V. Número de terminales: 2. Unidad de acondicionamiento: 5000. Spec info: IFSM--30Ap

Corriente directa (AV): 12A. IFSM: 265A. Vivienda: DO-203AB ( DO-5 ). Vivienda (según ficha técnica): DO-203AB. VRRM: 1200V. Estructura dieléctrica: carcasa conectada al cátodo. Material semiconductor: silicio. Función: Capacidad de corriente máxima alta. Resonancia magnética (máx.): 12mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Fijación roscada . Temperatura de funcionamiento: -65...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.88V. Tensión directa Vf (mín.): 0.77V. Cantidad por caja: 1. Número de terminales: 1. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm)

Corriente directa (AV): 60A. IFSM: 600A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC 3L. Cj: 50pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Cantidad por caja: 1. Estructura dieléctrica: Ánodo-Cátodo. Diodo Trr (Mín.): 50 ns. Material semiconductor: silicio. Función: Ultrafast Soft Recovery Diode. Resonancia magnética (máx.): 2mA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. Equivalentes: 60APU04PBF, VS-60APU04PBF. Número de terminales: 3. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 0.87V. Spec info: distribución de pines 60EPUxx 1

Corriente directa (AV): 8A. IFSM: 850A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220-2 (TO-220AC). VRRM: 100V. Función: Diodo rectificador Schottky. RoHS: sí. ¿Diodo Schottky?: choco. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión directa Vf (mín.): 0.72V

Corriente directa (AV): 20A. IFSM: 165A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Estructura dieléctrica: cátodo común. Material semiconductor: Sb. Función: Diodo Schottky de doble potencia. Resonancia magnética (máx.): 30mA. Resonancia magnética (mín.): 50uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.71V. Tensión directa Vf (mín.): 0.48V. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 3. Spec info: IFSM--330A (t=10ms), 363A (t=8.3ms) / diode

Corriente directa (AV): 5A. VRRM: 200V. Material semiconductor: silicio. Nota: plástico. Nota: 0402-000491. Nota: 50Ap / 10ms