Eupec/Infineon FS75R12KE3GBOSA1 Módulo IGBT de Canal N 1200V 75A 355W

Descripción técnica del producto (FS75R12KE3GBOSA1):

Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Encapsulado (según hoja de datos): otro. Encapsulado: otro. Diodo de germanio: no. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -40...+125°C. Dimensiones: 122x62x17.5mm. Diodo CE: sí. Número de conexiones: 35. Montaje/instalación: montaje pasante para circuito impreso. Tipo de canal: N. Función: ICRM 150A Tp=1ms. Nota: 6x IGBT+ Diodo CE. Td(off): 42us. Td(on): 26us. Tensión de saturación VCE(sat): 1.65V. Ic(puls): 150A. Marcado en el encapsulado: FS75R12KE3G. C (in): 5300pF. Tensión puerta - emisor VGE: 20V. Disipación de potencia máxima: 355W. Tensión de saturación máxima VCE(sat): 2.15V. Tensión puerta - emisor VGE(th) mín.: 5.5V. Tensión puerta - emisor VGE(th) máx.: 6.5V. Corriente de colector: 100A.