Fairchild FQT4N20LTF Transistor MOSFET de Canal N SOT-223 200V 0.85A 1.1 Ohm

Descripción técnica del producto (FQT4N20LTF):

Tensión Vds(max): 200V. Idss (max): 10uA. ID (T=25°C): 0.85A. ID (T=100°C): 0.55A. Resistencia de encendido Rds On: 1.1 Ohmios. Encapsulado: SOT-223 (TO-226). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de terminales: 3. Montaje/instalación: componente de montaje superficial (SMD). Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Protección G-S: no. Td(off): 15 ns. IDss (min): 1uA. Td(on): 7 ns. Cantidad por caja: 1. Id(imp): 3.4A. Marcado en el encapsulado: FQT4N20L. Vgs(th) min.: 1V. C(in): 240pF. C(oss): 36pF. Trr Diodo (Mín.): 90 ns. Pd (Disipación de potencia, Máx): 2.2W. Protección drenador-fuente: sí. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V.