Transistor de canal N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25

Transistor de canal N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V - FDA59N25. Transistor de canal N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.041 Ohms. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Voltaje Vds(máx.): 250V. C(pulg): 3090pF. Costo): 630pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: PDP TV, AC/DC Converter. Identificación (diablillo): 236A. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 392W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 90 ns. Td(encendido): 70 ns. Tecnología: UniFET MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 08:25.