Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227
Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 4 3.91€ 4.73€
5 - 9 3.71€ 4.49€
10 - 24 3.52€ 4.26€
25 - 49 3.32€ 4.02€
50 - 72 3.25€ 3.93€
Cantidad U.P
1 - 4 3.91€ 4.73€
5 - 9 3.71€ 4.49€
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Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V - IRFB4227. Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 19.7m Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. Resistencia en encendido Rds activado: 19.7m Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 200V. C(pulg): 4600pF. Costo): 460pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutador PDP. Identificación (diablillo): 260A. IDss (mín.): 20uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 21 ns. Td(encendido): 33 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Unidad de acondicionamiento: 50. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 11:25.

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IRF530

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Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T...
IRF530
Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
IRF530
Transistor de canal N, 10A, 14A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.16 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 100V. C(pulg): 670pF. Costo): 250pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Identificación (diablillo): 56A. IDss (mín.): 25uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 88W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 23 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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IRFBC30

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Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI ...
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IRFBC30
Transistor de canal N, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. Resistencia en encendido Rds activado: 2.2 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 600V. C(pulg): 660pF. Costo): 86pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Dynamic dv/dt Rating. Identificación (diablillo): 14A. IDss (mín.): 100uA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 11 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS
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IRF830

IRF830

Transistor de canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI ...
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Transistor de canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 610pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS
IRF830
Transistor de canal N, 2.9A, 4.5A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 500V. C(pulg): 610pF. Costo): 160pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 320 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Identificación (diablillo): 18A. IDss (mín.): 25uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 74W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 42 ns. Td(encendido): 8.2 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: NINCS
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