FET y MOSFET de canal N

1237 productos disponibles en la categoría de FET y MOSFET de canal N, todos de fabricantes originales, por ejemplo Alpha & Omega Semiconductor, Renesas Technology, Gtm Corporatoin, Yangjie Electronic Technology, Diodes Incorporated, y otros 66 fabricantes

FDPF12N50NZ

transistor de canal N FDPF12N50NZ, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11.5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.46 Ohms...

3.66€

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FDPF5N50T

transistor de canal N FDPF5N50T, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.15 Ohms. Vivienda: ...

2.40€

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FDPF7N50U

transistor de canal N FDPF7N50U, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.2 Ohms. Vivienda: ...

3.64€

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FDS6670A

transistor de canal N FDS6670A, SO8, 30 v. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2220pF. Configuración: componente...

2.97€

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FDS6690A

transistor de canal N FDS6690A, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 9.8m Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha téc...

1.18€

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FDS6900AS

transistor de canal N FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. Vivienda (norma JEDEC): -. DI (T=25°C): 8.2A. Idss (máx.): 8.2A. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Vivie...

2.26€

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FDS6912

transistor de canal N FDS6912, SO8, 30 v. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 740pF. Configuración: componente m...

1.78€

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FDS8884

transistor de canal N FDS8884, SO, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO-8, 30 v. Vivienda: SO. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 19m Ohms. V...

0.64€

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FDS9926A

transistor de canal N FDS9926A, 5.4A, SO, SO-8. DI (T=100°C): 5.4A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Diodo Trr (Mín.): 15 ns. Función: Rds-on 0.030 Ohms. ...

0.91€

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FDV301N

transistor de canal N FDV301N, SOT23, 25V, 25V. Vivienda: SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 25V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 25V. Capacitancia de puert...

0.17€

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FDV303N

transistor de canal N FDV303N, SOT-23, 25V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 25V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 50pF. Configuración: component...

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FGA60N65SMD

transistor de canal N FGA60N65SMD, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 60A, TO-3PN, 650V. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor ...

10.18€

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FGB20N60SF

transistor de canal N FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2-PAK. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(p...

7.12€

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FGH40N60SFDTU

transistor de canal N FGH40N60SFDTU, TO-247, 40A, TO-247AB, 600V. Vivienda: TO-247. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamient...

8.07€

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FGH40N60SMDF

transistor de canal N FGH40N60SMDF, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento...

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FGH40N60UFD

transistor de canal N FGH40N60UFD, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento:...

7.76€

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FGH60N60SFD

transistor de canal N FGH60N60SFD, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento:...

18.96€

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FGH60N60SFTU

transistor de canal N FGH60N60SFTU, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento...

12.67€

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FGH60N60SMD

transistor de canal N FGH60N60SMD, TO-247, 60A, TO-247AB, 600V. Vivienda: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamiento:...

10.36€

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FP25R12W2T4

transistor de canal N FP25R12W2T4, 25A, otro, otro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Vivienda: otro. Vivienda (según ficha técnica): otro. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. C(pulg): 1.45pF. Corriente d...

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FQA10N80C

transistor de canal N FQA10N80C, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0....

5.31€

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FQA11N90C

transistor de canal N FQA11N90C, TO-3PN, 900V. Vivienda: TO-3PN. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Configuración: Mon...

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FQA11N90C_F109

transistor de canal N FQA11N90C_F109, TO-3PN, 900V. Vivienda: TO-3PN. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3290pF. Configuración...

10.12€

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FQA11N90_F109

transistor de canal N FQA11N90_F109, TO-3PN, 900V. Vivienda: TO-3PN. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 900V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Configuración:...

6.84€

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