FET y MOSFET de canal N

1237 productos disponibles en la categoría de FET y MOSFET de canal N, todos de fabricantes originales, por ejemplo Wayon, Diodes Inc., Harris, Samsung, Mitsubishi Electric Semiconductor, y otros 66 fabricantes

IRF540NSTRLPBF

transistor de canal N IRF540NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 100V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1960pF....

3.57€

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IRF540PBF

transistor de canal N IRF540PBF, TO220, 100V, 100V. Vivienda: TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 100V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 100V. Capacitancia de...

2.38€

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IRF540Z

transistor de canal N IRF540Z, 25A, 36A, 250uA, 21 milliOhms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 25A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 21 milliOhms. V...

1.40€

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IRF610

transistor de canal N IRF610, TO-220, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado...

0.81€

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IRF610B

transistor de canal N IRF610B, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. DI (T=100°C): 2.1A. DI (T=25°C): 3.3A. Idss (máx.): 3.3A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.16 Ohms. Viviend...

0.67€

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IRF610PBF

transistor de canal N IRF610PBF, TO-220AB, 200V, 1.5 Ohms, 200V. Vivienda: TO-220AB. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vo...

1.48€

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IRF620

transistor de canal N IRF620, 3.3A, 5.2A, 250uA, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.8 Ohms. Vivien...

0.97€

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IRF620PBF

transistor de canal N IRF620PBF, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 260pF. Configuración: ...

1.25€

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IRF630

transistor de canal N IRF630, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA, 0.35 Ohms, TO-220, 200V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. DI (T=100°C): 5.7A. DI...

1.02€

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IRF630NPBF

transistor de canal N IRF630NPBF, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 575pF. Configuración:...

1.91€

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IRF630PBF

transistor de canal N IRF630PBF, TO220, 200V, 200V. Vivienda: TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de...

1.78€

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IRF634

transistor de canal N IRF634, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.45 Ohms. Vivi...

0.99€

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IRF634B

transistor de canal N IRF634B, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.348 Ohms. Vivie...

1.11€

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IRF640

transistor de canal N IRF640, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda...

1.43€

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IRF640N

transistor de canal N IRF640N, TO-220, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220AB, 200V. Vivienda: TO-220. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: ...

1.29€

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IRF640NPBF

transistor de canal N IRF640NPBF, TO220, 200V, 200V, 0.15 Ohms, 200V. Vivienda: TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Vivienda (norma JEDEC): -. Resiste...

1.78€

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IRF640NSTRLPBF

transistor de canal N IRF640NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 200V. Vivienda: D²-PAK. Vivienda (norma JEDEC): TO-263. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 200V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 1160pF....

5.95€

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IRF640PBF

transistor de canal N IRF640PBF, 200V, 200V, 0.18 Ohms, TO220. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 200V. Tensión drenaje-fuente (Vds): 200V. Resistencia en encendido Rds activado: 0.18 Ohms. Vivienda...

1.91€

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IRF644

transistor de canal N IRF644, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.28 Ohms. Vivien...

1.99€

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IRF6645TRPBF

transistor de canal N IRF6645TRPBF, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 5.7A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms. Voltaje Vds(máx...

3.45€

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IRF710

transistor de canal N IRF710, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 3.6 Ohms. Vivienda: ...

1.04€

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IRF7101PBF

transistor de canal N IRF7101PBF, SO8, 20V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 20V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 320pF. Configuración: componente ...

1.78€

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IRF7103

transistor de canal N IRF7103, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 50V. Cantidad por caja: 2. Función: 2xN-CH 50V. Montaje/i...

0.77€

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IRF7103PBF

transistor de canal N IRF7103PBF, SO8, 50V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 50V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 290pF. Configuración: componente ...

0.89€

Cantidad en inventario: 132

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