FET y MOSFET de canal N

1237 productos disponibles en la categoría de FET y MOSFET de canal N, todos de fabricantes originales, por ejemplo Infineon Technologies, Taiwan Semiconductor, Nxp Semiconductors, Yangjie Electronic Technology, Shindengen Electric, y otros 66 fabricantes

RFP50N06

transistor de canal N RFP50N06, TO-220, 60V, 50A, 50A, 50uA, 0.022 Ohms, TO-220AB, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 50A. D...

2.37€

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RFP70N06

transistor de canal N RFP70N06, TO-220, 60V, 52A, 70A, 25uA, 0.014 Ohms, TO-220, 60V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. DI (T=100°C): 52A. DI ...

2.70€

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RJH3047DPK

transistor de canal N RJH3047DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 330V. Corriente del colecto...

16.52€

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RJH3077DPK

transistor de canal N RJH3077DPK, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 330V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 330V. Corriente del colecto...

15.62€

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RJH30H2DPK-M0

transistor de canal N RJH30H2DPK-M0, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PSG, 300V. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PSG. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 1200pF. C...

14.31€

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RJK5010

transistor de canal N RJK5010, 20A, 20A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Voltaje...

11.14€

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RJK5020DPK

transistor de canal N RJK5020DPK, 40A, 40A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 40A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3P. Volt...

19.10€

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RJP30E4

transistor de canal N RJP30E4, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 360V. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensión colector/emisor Vceo: 360V. C(pulg): 8...

6.45€

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RK7002

transistor de canal N RK7002, 115mA, 115mA, 7.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 115mA. Idss (máx.): 115mA. Resistencia en encendido Rds activado: 7.5 Ohms. Vivienda: SOT-23 ( TO-2...

0.75€

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RSR025N03TL

transistor de canal N RSR025N03TL, 2.5A, 2.5A, 0.074 Ohms, TSMT3, 30 v. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 2.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.074 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TSM...

1.22€

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RSS095N05

transistor de canal N RSS095N05, 9.5A, 1uA, 0.011 Ohms, SO, SO-8, 45V. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 1uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.011 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha t..

2.58€

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RSS100N03

transistor de canal N RSS100N03, 10A, 10A, 0.0125 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.0125 Ohms. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha t...

0.90€

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SD20N60

transistor de canal N SD20N60, 20A, 20A, TO-247, TO-247. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 20A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Cantidad por caja: 1. Función: transistor MO...

25.66€

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SGH30N60RUFD

transistor de canal N SGH30N60RUFD, 30A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda: TO-3PN ( 2-16C1B ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 600...

5.66€

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SGP10N60A

transistor de canal N SGP10N60A, 10.6A, TO-220, TO-220AC, 600V. Ic(T=100°C): 10.6A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Acondicionamient...

4.21€

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SGP30N60

transistor de canal N SGP30N60, TO-220, 30A, TO-220AC, 600V. Vivienda: TO-220. Vivienda (norma JEDEC): -. Ic(T=100°C): 30A. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AC. Tensión colector/emisor Vceo: ...

5.18€

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SI2304DDS-T1-GE3

transistor de canal N SI2304DDS-T1-GE3, SOT-23, 30 v. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 235pF. Configuració...

1.18€

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SI2306BDS-T1-E3

transistor de canal N SI2306BDS-T1-E3, SOT23, 30V, 30 v. Vivienda: SOT23. Vdss (voltaje de drenaje a fuente): 30V. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitanci...

1.18€

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SI2308BDS-T1-GE3

transistor de canal N SI2308BDS-T1-GE3, SOT-23, MS-012, 60V. Vivienda: SOT-23. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 190pF. Co...

1.78€

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SI4410BDY

transistor de canal N SI4410BDY, 8A, 10A, 10A, 0.013 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.013 Ohms. Vivienda: SO. Viv...

0.82€

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SI4410BDY-E3

transistor de canal N SI4410BDY-E3, SO8, MS-012, 30 v. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 30 v. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 2000pF. Configura...

1.06€

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SI4420DY

transistor de canal N SI4420DY, 10.5A, 13.5A, 13.5A, 0.008 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. Resistencia en encendido Rds activado: 0.008 Ohms. Vivi...

1.78€

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SI4448DY-T1-E3

transistor de canal N SI4448DY-T1-E3, 26A, 32A, 10uA, 17m Ohms, SO, SO-8, 12V. DI (T=100°C): 26A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 17m Ohms. Vivienda: SO....

0.95€

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SI4480DY

transistor de canal N SI4480DY, 4.8A, 6A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. DI (T=100°C): 4.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 20uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.026 Ohms. Vivienda: SO. V...

2.34€

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