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Generic 2SK809 MOSFET de Potencia de Canal N 800V 5A

Referencia del producto : 2SK809
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Descripción técnica del producto (2SK809):

Generic 2SK809 MOSFET de potencia de canal N. Tensión máxima Drain-Source Vds(max): 800V. Corriente de fuga Drain-Source máxima Idss: 5A. Corriente de Drain Id (T=25°C): 5A. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET de canal N. Tecnología: V-MOS. Cantidad por encapsulado: 1. Disipación de potencia máxima: 100W.