Infineon IRLB8721 MOSFET de Potencia HEXFET Canal N 30V 64A TO-220AB

Descripción técnica del producto (IRLB8721):

Tensión Vds(max): 30V. Idss (máx): 150uA. Id (T=25°C): 64A. Id (T=100°C): 45A. Resistencia en estado activo Rds On: 0.0065 Ohmios. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220AB. Encapsulado: TO-220. RoHS: Sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: Montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Resistencia en estado activo ultra baja, conmutación rápida. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Protección G-S: No. Td(off): 9 ns. Idss (min): 1uA. Td(on): 9.1 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 250A. Vgs(th) min.: 1.35V. C (in): 1077pF. C (out): 360pF. Trr Diodo (Min.): 16 ns. Disipación máxima de potencia: 65W. Protección drenador-fuente: Sí. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V.