International Rectifier IRF450 MOSFET de Potencia HEXFET de Canal N 500V 12A 0.4 Ohm TO-3

Descripción técnica del producto (IRF450):

Tensión Vds(max): 500V. Idss (máx.): 250uA. Id (T=25°C): 12A. Id (T=100°C): 7.75A. Resistencia de paso Rds On: 0.4 Ohm. Encapsulado (según hoja de datos): TO-3 (TO-204A). Encapsulado: TO-3 (TO-204). RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Número de conexiones: 2. Montaje/instalación: montaje pasante para circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Repetitive Avalanche Ratings. Tecnología: transistor HEXFET Power MOSFET. Protección G-S: no. Td(off): 170 ns. Idss (mín.): 25uA. Td(on): 35 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 48A. Vgs(th) mín.: 2V. C (in): 2700pF. C (out): 600pF. Trr Diodo (Mín.): 1600 ns. Disipación de potencia máxima: 150W. Protección drenaje-fuente: diodo Zener. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V.