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Fuji Electric

MOSFET de Canal N Fuji Electric 2SK2251-01, 250V, 2A, 1.2 Ohm, Encapsulado TO-220AB

Referencia del producto : 2SK2251-01
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Descripción técnica del producto (2SK2251-01):

Tensión Drain-Source Vds(max): 250V. Corriente de fuga Drain-Source Idss(max): 2A. Corriente de Drain Continua Id (T=25°C): 2A. Resistencia en estado ON Rds(On): 1.2 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220AB. Encapsulado: TO-220. Tipo de montaje: Montaje pasante. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Tecnología: Serie FAP-IIA. Cantidad por encapsulado: 1. Corriente de Drain pulsada Id(imp): 8A. Disipación de potencia máxima: 20W.