ON Semiconductor TIG056BF-1E IGBT de Canal N 430V 240A TO-220FP

Descripción técnica del producto (TIG056BF-1E):

Tensión colector/emisor Vceo: 430V. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220F-3FS. Encapsulado: TO-220FP. Diodo de germanio: Supresor. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Varios: flash, control de estroboscopio. Información de especificación: High speed fall time--tf=270nS (typ). Diodo CE: no. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Función: Baja tensión de saturación, conmutación de ultra alta velocidad. Tecnología: Enhancement type. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Tensión de saturación VCE(sat): 3.6V. Ic(puls): 240A. C (in): 5500pF. Tensión puerta - emisor VGE: 33V. C (out): 100pF. Disipación de potencia máxima: 30W. Tensión de saturación máxima VCE(sat): 5V. Tensión puerta - emisor VGE(th) mín.: 2.5V. Tensión puerta - emisor VGE(th) máx.: 5V. Corriente de colector: 240A.