Philips Semiconductors PSMN035-150P N-MOSFET 150V 50A 30mOhm TO-220

Descripción técnica del producto (PSMN035-150P):

Tensión Vds(max): 150V. Idss (max): 500uA. ID (T=25°C): 50A. ID (T=100°C): 36A. Resistencia en estado activo Rds On: 30 miliohmios. Encapsulado (según hoja de datos): TO-220AB (SOT78). Encapsulado: TO-220. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Info. espec.: IDM--200A (Tmb 25°C pulsado). Número de terminales: 3. Montaje/instalación: Montaje pasante para PCB. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Conmutación de alta velocidad. Tecnología: Transistor de efecto de campo de modo de enriquecimiento. Protección G-S: no. Td(off): 79 ns. IDss (min): 0.05uA. Td(on): 25 ns. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 200A. Vgs(th) min.: 2V. C(in): 4720pF. C(out): 456pF. Trr Diodo (Mín.): 118 ns. Pd (Disipación de potencia, máx): 250W. Acondicionamiento: tubo de plástico. Protección drenador-fuente: diodo. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Unidad de acondicionamiento: 50