Puentes rectificadores de diodos

Corriente nominal [A]: 2A/1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: redondo, Diámetro 9 mm, Altura 5,1 mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 50V. Diámetro: 10mm. Equivalentes: W005M. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Corriente nominal [A]: 8A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 180A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 20A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Trifásico: 0. IFSM: 230A. Marcado en la caja: +~~-. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. Dimensiones: 30x20x3.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 3A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Trifásico: 0. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: BR306, KBPC106. Dimensiones de las conexiones: diámetro 0,9 mm. Número de terminales: 4. Paso: 10.8x10.8mm. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 4A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 80A. Número de terminales: 4. Paso: 4.5mm. Dimensiones: 22x18.5x3.5mm. Spec info: IFSM--80Ap (t=8.3ms)

Corriente nominal [A]: 4A. Tensión de pico Urrm [V]: 100V. Corriente máxima Ifsm [A]: 135A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 1.5A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diámetro 10 mm. Dimensiones de las conexiones: distancia entre patas 5,6x5,6mm. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55°C...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

Corriente nominal [A]: 2.3A/1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (19x3.5x10mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 0.9V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 160V. Corriente directa (AV): 1.5A. RoHS: sí. Cj: 1300pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 10A. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Resonancia magnética (mín.): 0.9V. Número de terminales: 4. Paso: 5mm. Dimensiones: 20x10x3.5mm. Spec info: IF(AV) 1,5 A, 2,3 A (con disipador de calor). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Diodo Trr (Mín.): 19x3.5x10mm

VRRM: 160V. Vivienda: SIL. Corriente rectificada promedio (Max): 3.7A. Dimensiones: 32x5.6x17mm. Tipo de diodo: Fase única. Serie: B80

VRRM: 80V. Corriente directa (AV): 2,2 A (o 3,7 A si se monta en un disipador de calor). Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 150A (50Hz 10ms). Dimensiones de las conexiones: 10x7.5x7.5mm. Número de terminales: 4. Dimensiones: 32x17x5.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL

Corriente nominal [A]: 5A/3.3A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 150A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (32x56x16mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 7A/4A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 250A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (32x56x16mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.05V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Diámetro: 10mm. RoHS: sí

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 8.3x6.4x3.1mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Vivienda (norma JEDEC): Fase única

Corriente nominal [A]: 2A/1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: redondo, Diámetro 9 mm, Altura 5,1 mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Vivienda (norma JEDEC): Fase única

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 45A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 8.3x6.4x2.5mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 160V. Vivienda: SMD. Corriente rectificada promedio (Max): 1A. Dimensiones: 8.3x6.4x2.5mm. Tipo de diodo: Fase única. Serie: B80

Corriente nominal [A]: 2.3A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 65A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 8.3x6.4x2.5mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 0.95V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 200V. Corriente directa (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Nota: diámetro 10 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 3A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: KIBPC110. Dimensiones de las conexiones: diámetro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 50A. Función: Puente rectificador. Serie: GBPC. Número de terminales: 4. Dimensiones de las conexiones: Terminal rápido de 6,35x0,8mm

VRRM: 200V. Corriente directa (AV): 3.2A. Material semiconductor: silicio. Spec info: GI-Br

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 100V. Corriente máxima Ifsm [A]: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 8.3x6.4x2.5mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 0.79V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C