Puentes rectificadores de diodos

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 4A. Cj: 40pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: RS407. Dimensiones de las conexiones: 5.08x5.08mm. Número de terminales: 4. Dimensiones: 19x16x6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 2A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 60A. Equivalentes: KPB206G, KBP06, RS205, RC205. Número de terminales: 4. Paso: 4x4x4mm. Dimensiones: 17.5x14x6.3mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--60Ap

Corriente nominal [A]: 10/15/25A. Tensión de pico Urrm [V]: 200V. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 10/15/25A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 10/15/25A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 10/15/25A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 10A. Tensión de pico Urrm [V]: 200V. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 10A. Tensión de pico Urrm [V]: 200V. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 10A. Cj: 21pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 175A. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Resonancia magnética (mín.): 1000uA. Número de terminales: 4. Paso: 13x13mm. RoHS: sí. Paso: 19x19mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--175Ap

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 10A. Cj: 21pF. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Paso: 13x13mm. RoHS: sí. Paso: 19x19mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 10A. Paso: 19x19mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones de las conexiones: 13x13mm. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente nominal [A]: 10A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 10A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 3A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Dimensiones de las conexiones: diámetro 0,9 mm, 10,8x10,8 mm. Número de terminales: 4. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 15A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 300mA. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones de las conexiones: Terminal rápido de 6,35x0,8mm. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 29x29mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 15A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 300mA. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones de las conexiones: Terminal rápido de 6,35x0,8mm. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 29x29mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 15A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 300A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones de las conexiones: Terminal rápido de 6,35x0,8mm. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 29x29mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 25A. Cj: 300pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 25A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 300A. Número de terminales: 4. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 25A. Cj: 300pF. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 400A. Marcado en la caja: MB256. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: MB-25. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Nota: 28x28x11.5mm

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 25A. Cj: 300pF. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: MB-256W. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: t=8.2ms

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 25A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 360A. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.26V. Tensión directa Vf (mín.): 1.26V. Número de terminales: 4

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 25A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 360A. Resonancia magnética (máx.): 5mA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: MB25100. Dimensiones de las conexiones: Terminal rápido de 6,35x0,8mm. Número de terminales: 4. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.26V. Tensión directa Vf (mín.): 1.26V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 25A. Cj: 300pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: t=8.2ms

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 200V. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston