Puentes rectificadores de diodos

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 664uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 400A. Dimensiones de las conexiones: 23x1.2mm. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: cable

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 655uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 4

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 400A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 35A. Distribución de pines: conexiones de soldadura en circuito impreso. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 375A 50Hz (10ms). Resonancia magnética (mín.): 10uA. Material exterior: carcasa de plástico con cara de enfriamiento. Dimensiones: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: tornillo. Tr: 1500 ns. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 35A. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones: 28x28mm. RoHS: sí. Tensión umbral Vf (máx): 1.2V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 375A 50Hz (10ms). Resonancia magnética (mín.): 10uA. Material exterior: carcasa de plástico con cara de enfriamiento. Dimensiones: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: tornillo. Tr: 1500 ns. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 1600V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 375A 50Hz (10ms). Resonancia magnética (mín.): 10uA. Material exterior: carcasa de plástico con cara de enfriamiento. Dimensiones: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: tornillo. Tr: 1500 ns. Clase de inflamabilidad: UL94V-0. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 1600V. Corriente directa (AV): 35A. Distribución de pines: conexiones de soldadura en circuito impreso. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 330A 50Hz (10ms). Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones: 28.6x28.6x7.3mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: tornillo. Tr: 1500 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 50V. Corriente directa (AV): 50A. Cj: 300pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador, puente rectificador de diodos. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Marcado en la caja: MB5005. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Corriente nominal [A]: 50A. Tensión de pico Urrm [V]: 100V. Corriente máxima Ifsm [A]: 400A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 200V. Corriente directa (AV): 50A. Cj: 300pF. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 50A. Cantidad por caja: 4. Material semiconductor: silicio. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 50A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 664uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4

Corriente nominal [A]: 50A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 400A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 50A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 400A. Resonancia magnética (máx.): 664uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM 400Ap (t=8.3ms)

Corriente nominal [A]: 50A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 400A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 50A. Cj: 300pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador, puente rectificador de diodos. IFSM: 500A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. RoHS: sí. Paso: 28x28mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.2ms)

Corriente nominal [A]: 50A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 400A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.6x28.6x7.3mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Dimensiones de las conexiones: 10.8x10.8mm. Dimensiones: 15.2x15.2mm

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 6A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 125A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Paso: 10.8x10.8mm. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: Ifsm 125A (t=8.2ms)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 6A. Cj: 186pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador, puente rectificador de diodos. Trifásico: 0. IFSM: 125A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 10.8x10.8mm. RoHS: sí. Paso: 15.2x15.2mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm 125Ap (t=8.3ms)