Puentes rectificadores de diodos

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 25A. Función: Puente rectificador. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Marcado en la caja: D25XB60. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. Dimensiones: 30x20x4.6mm. RoHS: sí. Spec info: pont de redressement en ligne (SIL). Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 350A

Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Número de terminales: 4. Dimensiones: 24x15mm. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 6A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 170A. Marcado en la caja: D5SB 60. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. Temperatura: +150°C. RoHS: sí. Spec info: IFSM--170Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 1A. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Trifásico: 0. IFSM: 30A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 1.5A. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Spec info: IFSM--50Ap. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1A. Cj: 25pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1A. Función: Puente rectificador. Serie: DB. Vivienda: DIP. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 50A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08mm. Dimensiones: 7.4x6.2x3.2mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente nominal [A]: 1.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 1000V. Corriente máxima Ifsm [A]: 60A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: DB-S. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.0V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1200V. Corriente directa (AV): 25A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 350A. Resonancia magnética (máx.): 10uA. Dimensiones de las conexiones: Terminal de Faston de 6.4x0.8 mm. Número de terminales: 5. Dimensiones: 28.5x28.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 450A. Dimensiones de las conexiones: Terminal de Faston de 6.4x0.8 mm. Número de terminales: 5. Dimensiones: 28.5x28.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 450A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente rectificador de diodos trifásicos. Vivienda: 28.5x28.5x10mm. Configuración: conexión por terminales faston. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.05V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.2 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 450A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente rectificador de diodos trifásicos. Vivienda: 28.5x28.5x10mm. Configuración: conexión por terminales faston. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.05V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1600V. Corriente directa (AV): 35A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 450A. Equivalentes: VISHAY--VS-36MT160. Dimensiones de las conexiones: Terminal de Faston de 6.4x0.8 mm. Número de terminales: 5. Dimensiones: 28.5x28.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.5A. Función: Puente rectificador. Equivalentes: DB157S. Serie: DBS. Dimensiones: 8.32x6.35x3.05mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD)

Corriente nominal [A]: 1A. Tensión de pico Urrm [V]: 700V. Corriente máxima Ifsm [A]: 50A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: DIP6/4. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 10A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Trifásico: 0. IFSM: 160A. Marcado en la caja: +~~-. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 10A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 160A. Resonancia magnética (máx.): 5uA. Marcado en la caja: +~~-. Equivalentes: KBJ10J. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente nominal [A]: 15A. Tensión de pico Urrm [V]: 400V. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (30x4.6x20mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 15A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 200A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (30x4.6x20mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 400V. Corriente directa (AV): 20A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Trifásico: 0. IFSM: 230A. Marcado en la caja: +~~-. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. Dimensiones: 30x20x3.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x3.6mm. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V

Corriente nominal [A]: 25A. Tensión de pico Urrm [V]: 400V. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (30x4.6x20mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 25A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 300A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: SIL (30x4.6x20mm). Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 25A. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 15. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Trifásico: 0. IFSM: 350A. Dimensiones de las conexiones: 10x7.5x7.5mm. Número de terminales: 4. Dimensiones: 30x20x4.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 35A. Cj: 150pF. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 15. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. IFSM: 350A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Dimensiones de las conexiones: 10x7.5x7.5mm. Número de terminales: 4. Dimensiones: 30x20x4.8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.05V. Tensión directa Vf (mín.): 1.05V