Puentes rectificadores de diodos

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 1A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Paso: 7.62mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Paso: 7.62mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-4. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4

Corriente nominal [A]: 0.8A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TO-269AA. Vivienda (norma JEDEC): TO-269AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 0.8A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 40A. Resonancia magnética (máx.): 1mA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Paso: 2.54mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: TO-269AA (MBS). Vivienda (según ficha técnica): MiniDIL / SLIM. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 0.95V. Tensión directa Vf (mín.): 1.2V. Número de terminales: 4

Corriente nominal [A]: 0.8A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TO-269AA. Vivienda (norma JEDEC): TO-269AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 17A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 320A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: 28.8x28.8x10mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 2.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 28A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.2 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 280A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos controlado (Graetz). Vivienda: 63x32x22mm. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 2.25V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +125°C. Configuración: conexión por terminales faston

Corriente nominal [A]: 20A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 320A. RoHS: sí. Vivienda: 28.8x28.8x10mm. Número de terminales: 5. Tensión umbral Uf [V]: 2.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Configuración: conexión por terminales faston

VRRM: 800V. Corriente directa (AV): 25A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. Trifásico: 0. IFSM: 300A. Equivalentes: D25XB60, D25SB80, TS25P06G, GBJ2508, GBK25K. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda (según ficha técnica): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Número de terminales: 4. Spec info: 300Ap Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 1700V. Corriente máxima Ifsm [A]: 475A. RoHS: sí. Vivienda: 28.5x28.5x10mm. Configuración: Atornillado. Número de terminales: 5. Tensión umbral Uf [V]: 1.19V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 35A. Tensión de pico Urrm [V]: 1 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 475A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 28.6x28.6x7.7mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 86A. Tensión de pico Urrm [V]: 1.6 kV. Corriente máxima Ifsm [A]: 530A. RoHS: sí. Vivienda: ECO-PAC1. Configuración: pestañas de soldadura. Número de terminales: 5. Tensión umbral Uf [V]: 1.5V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diámetro 10 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.6x5.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 1.5A. Cj: 24pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Nota: diámetro 10 mm. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.6x5.6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: Ifsm--50Ap, (50-60Hz, t=8.3mS)