Puentes rectificadores de diodos

Corriente nominal [A]: 8A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 135A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 19x19x6.8mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 4A. Tensión de pico Urrm [V]: 400V. Corriente máxima Ifsm [A]: 180A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 23.5x5.7x19.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 4A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 180A. RoHS: NINCS. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 23.5x5.7x19.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 4A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 180A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 23.5x5.7x19.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 6A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: Puente rectificador. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Equivalentes: KBU6J, KBU606, RS605. Paso: 5.08x5.08mm. Dimensiones: 23x19x6mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Corriente nominal [A]: 8A. Tensión de pico Urrm [V]: 100V. Corriente máxima Ifsm [A]: 270A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 23.5x5.7x19.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente nominal [A]: 8A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 270A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 23.5x5.7x19.3mm. Vivienda (norma JEDEC): 8A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 8A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 270A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 23.5x5.7x19.3mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 8A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 200A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: KBU8M, KBU807. Número de terminales: 4. Paso: 5.08x5.08mm. Dimensiones: 21.5x18.3x3.4mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms), IFSM--180Ap (t=10ms)

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 0.5A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 25A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: MB10S. Número de terminales: 4. Paso: 2.5mm. Dimensiones: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda (según ficha técnica): MBF. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: espesor máximo 1,6 mm

VRRM: 1000V. Corriente directa (AV): 0.8A. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 30A. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Equivalentes: MB10F. Número de terminales: 4. Paso: 2.5mm. Dimensiones: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda (según ficha técnica): MBF. Temperatura de funcionamiento: -50...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.1V. Tensión directa Vf (mín.): 1.1V. Spec info: espesor máximo 2,7 mm

Corriente nominal [A]: 0.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 32A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TO-269AA. Vivienda (norma JEDEC): TO-269AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 0.5A. Material semiconductor: silicio. Función: Rectificador de red de 230 V. IFSM: 30A. Resonancia magnética (máx.): 100uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: B6. Paso: 2.54mm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: TO-269AA (MBS). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Número de terminales: 4. Dimensiones: dimensiones de la caja 4,1x4,95 mm

Corriente nominal [A]: 0.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 800V. Corriente máxima Ifsm [A]: 32A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TO-269AA. Vivienda (norma JEDEC): TO-269AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 0.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 250V. Corriente máxima Ifsm [A]: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: MicroDIL. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 0.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 600V. Corriente máxima Ifsm [A]: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 3x3x1.8mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 0.5A. Tensión de pico Urrm [V]: 160V. Corriente máxima Ifsm [A]: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: 3x3x1.8mm. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Corriente nominal [A]: 10A. Tensión de pico Urrm [V]: 200V. Corriente máxima Ifsm [A]: 135A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: 15.1x15.1x6.3 mm. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.2V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 1200V. Corriente directa (AV): 68A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 300A. Resonancia magnética (máx.): 3mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Dimensiones de las conexiones: 0.75x12.3mm. Dimensiones: 47x30x8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.46V. Tensión directa Vf (mín.): 1.46V. Número de terminales: 5. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A

VRRM: 1200V. Corriente directa (AV): 86A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Función: puente rectificador trifásico. IFSM: 530A. Resonancia magnética (máx.): 3mA. Resonancia magnética (mín.): 0.5mA. Dimensiones de las conexiones: 0.75x12.3mm. Dimensiones: 47x30x8mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda (según ficha técnica): ECO-PAC 1. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1.5V. Tensión directa Vf (mín.): 1.5V. Número de terminales: 5. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A

Dimensiones: 25x15x4.5mm

VRRM: 250V. Corriente directa (AV): 5A. Cj: 15pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Función: puente rectificador monofásico. IFSM: 30A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 5uA. Marcado en la caja: B250C5000A. Número de terminales: 4. Paso: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Vivienda (según ficha técnica): 40x21x6.5mm. Temperatura de funcionamiento: -55...+125°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V

VRRM: 100V. Corriente directa (AV): 6A. Cj: 186pF. Cantidad por caja: 4. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. IFSM: 250A. Resonancia magnética (máx.): 500uA. Resonancia magnética (mín.): 10uA. Número de terminales: 4. Paso: 5.08x5.08mm. Dimensiones: 23x17x6.5mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: SIP / SIL. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión umbral Vf (máx): 1V. Tensión directa Vf (mín.): 1V. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)

Corriente nominal [A]: 0.8A. Tensión de pico Urrm [V]: 250V. Corriente máxima Ifsm [A]: 40A. RoHS: sí. Familia de componentes: Puente de diodos (Graetz). Vivienda: soldadura de PCB (SMD). Vivienda: TO-269AA. Vivienda (norma JEDEC): TO-269AA. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 4. Tensión umbral Uf [V]: 1.1V. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -50°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

VRRM: 600V. Corriente directa (AV): 1A. Estructura dieléctrica: Puente de diodos. Material semiconductor: silicio. Paso: 7.62mm. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SMD. Vivienda (según ficha técnica): SMD-4. Cantidad por caja: 4. Número de terminales: 4