Stmicroelectronics STP20NM60FD MOSFET de Potencia FDmesh™ de Canal N, 600V, 20A, 0,26 Ohm Rds(on), T

Descripción técnica del producto (STP20NM60FD):

MOSFET de Potencia FDmesh™ de Canal N con tecnología de diodo rápido. Tensión máxima drenador-fuente Vds 600V, corriente de drenador continua ID 20A (a 25°C) y resistencia de encendido Rds(on) 0,26 Ohms. Encapsulado TO-220AB para montaje pasante en PCB. Características: baja capacitancia de puerta y una disipación de potencia máxima de 192W. Conforme a RoHS. Temperatura de funcionamiento hasta +150°C.