STMicroelectronics STW18NM80 MOSFET de Potencia de Canal N 800V 17A TO-247

Descripción técnica del producto (STW18NM80):

Tensión Vds máxima: 800V. Idss máximo: 100nA. Id (T=25°C): 17A. Id (T=100°C): 10.71A. Resistencia en estado activo Rds On: 0.25 Ohms. Encapsulado (según hoja de datos): TO-247. Encapsulado: TO-247. RoHS: sí. Información de especificación: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Número de conexiones: 3. Montaje/instalación: montaje pasante para placa de circuito impreso. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: circuitos de conmutación. Tecnología: MDmesh PowerMOSFET. Protección G-S: no. Idss mínimo: 10nA. Cantidad por encapsulado: 1. Id(imp): 68A. Marcado en el encapsulado: 18NM80. Vgs(th) mínimo: 3V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Disipación de potencia máxima: 190W. Embalaje: tubo de plástico. Protección drenador-fuente: diodo Zener. Tensión puerta/fuente Vgs: 30V. Temperatura: +150°C. Unidad de embalaje: 30.