Toshiba 2SK943 MOSFET de Potencia de Canal N 60V 25A 0.046 Ohm

Descripción técnica del producto (2SK943):

MOSFET de potencia de canal N Toshiba 2SK943. Tensión máxima Drain-Source Vds(max): 60V. Corriente de fuga Drain-Source máxima Idss: 25A. Corriente de Drain Id (T=25°C): 25A. Corriente de Drain Id (T=100°C): 12A. Resistencia en estado activo Rds On: 0.046 Ohms. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: transistor MOSFET de canal N. Tecnología: V-MOS. Cantidad por encapsulado: 1. Disipación de potencia máxima: 40W.