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Toshiba

Toshiba RN1409 Transistor NPN con Resistencia 50V 0.1A 0.2W SOT-23

Referencia del producto : RN1409
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Descargue la ficha técnica (PDF).

Descripción técnica del producto (RN1409):

Transistor NPN+R RN1409 de Toshiba. Tensión colector-emisor Vceo: 50V. Corriente de colector Ic: 0.1A. Disipación de potencia Pd: 0.2W. Resistencia de base Rb: 47K. Resistencia base-emisor Rbe: 22K. Material semiconductor: Si. C (salida): 100 pF. Montaje: montaje superficial (SMD). Encapsulado: SOT-23 (TO-236). Cantidad por encapsulado: 1 unidad. Función: DTR. Código SMD: XJ.