Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458

Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458
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Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458. Transistor de canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 4.5pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Tipo de transistor: JFET. Función: Uni sym. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 3.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 23:25.

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Transistor de canal N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 9mA. Vivienda: SOT-23 ( TO-236 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 4.5pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Función: Uni sym. IDss (mín.): 2mA. IGF: 10mA. Marcado en la caja: 61 S. Pd (disipación de potencia, máx.): 2mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 3.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 7V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 1V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Nota: serigrafía/código SMD 61S. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
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Transistor de canal N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (máx.): 16mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Voltaje Vds(máx.): 25V. C(pulg): 2250pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 53 ns. Tipo de transistor: FET. Función: Uni sym. IDss (mín.): 4mA. IGF: 10mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 4mA. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: transistor JFET de uso general. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 4.5V. Voltaje de puerta/fuente (apagado) máx.: 8V. Voltaje puerta/fuente (apagado) mín.: 2V. Protección de la fuente de drenaje: NINCS. Protección G-S: NINCS
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