Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V - 2SK3264-01MR

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Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V - 2SK3264-01MR. Transistor de canal N, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 7A. Resistencia en encendido Rds activado: 1.62 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F15. Voltaje Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 28A. Pd (disipación de potencia, máx.): 60W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: SILICON POWER MOS-FET. Cantidad por caja: 1. Función: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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Transistor de canal N, TO-220FP, 3.3A, 5.2A, 1uA, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220FP, 800V, 1.8 Ohms, 800V. Vivienda: TO-220FP. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.5 Ohms. Vivienda (según ficha técnica): TO-220FP. Voltaje Vds(máx.): 800V. Resistencia en encendido Rds activado: 1.8 Ohms. Tensión drenaje-fuente (Vds): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Función: CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA . Identificación (diablillo): 20.8A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P7NK80ZFP. Pd (disipación de potencia, máx.): 30W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 45 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: SuperMESH. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vgs(th) mín.: 3.75V. Tipo de transistor: transistor de potencia MOSFET. Corriente máxima de drenaje: 5.2A. Número de terminales: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Protección G-S: sí
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