Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK3679

Transistor de canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK3679
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Cantidad sin IVA IVA incl.
1 - 1 5.96€ 7.21€
2 - 2 5.66€ 6.85€
3 - 4 5.36€ 6.49€
5 - 9 5.06€ 6.12€
10 - 19 4.94€ 5.98€
20 - 29 4.82€ 5.83€
30 - 47 4.65€ 5.63€
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Transistor de canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - 2SK3679. Transistor de canal N, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.22 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 1100pF. Costo): 140pF. Tipo de canal: N. Cantidad por caja: 1. Diodo Trr (Mín.): 3.2us. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 36A. IDss (mín.): 25uA. Marcado en la caja: K3679. Número de terminales: 3. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 95W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 50 ns. Td(encendido): 25 ns. Tecnología: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 07:25.

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FQPF9N90C

FQPF9N90C

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (...
FQPF9N90C
Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 40 nC, Crss bajo 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protección G-S: NINCS
FQPF9N90C
Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.12 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO-220F. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2100pF. Costo): 175pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Diodo Trr (Mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 10uA. Pd (disipación de potencia, máx.): 68W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 100 ns. Td(encendido): 50 ns. Tecnología: DMOS, QFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Función: Cambio rápido, carga de puerta baja 40 nC, Crss bajo 14 pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protección G-S: NINCS
Conjunto de 1
4.33€ IVA incl.
(3.58€ sin IVA)
4.33€
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STP9NK90Z

STP9NK90Z

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°...
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: P9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 160W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección G-S: sí
Conjunto de 1
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STF9NK90Z

STF9NK90Z

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25Â...
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Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
STF9NK90Z
Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 50uA. Resistencia en encendido Rds activado: 1.1 Ohms. Vivienda: TO-220FP. Vivienda (según ficha técnica): TO220FP. Voltaje Vds(máx.): 900V. C(pulg): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 950 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Función: conmutación de circuitos. Identificación (diablillo): 32A. IDss (mín.): 1uA. Marcado en la caja: F9NK90Z. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 55 ns. Td(encendido): 22 ns. Tecnología: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminales: 3. Cantidad por caja: 1. Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: sí
Conjunto de 1
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SW2201-15R-W

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STW9NK90Z
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STW9NK90Z
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4.33€ IVA incl.
(3.58€ sin IVA)
4.33€
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STP9NK90Z

STP9NK90Z

Transistor de canal N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°...
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Cantidad en inventario : 106
SW2201-15G

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2N2905A
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CABLE-151K
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7.37€ IVA incl.
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SW2201-15R
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SW2201-15R
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2.67€ IVA incl.
(2.21€ sin IVA)
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