Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD
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Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD. Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AB. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. C(pulg): 2820pF. Costo): 350pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Función: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Marcado en la caja: FGH60N60SFD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 378W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 134 ns. Td(encendido): 22 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 01:25.

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Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Vivienda: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3PN. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. C(pulg): 2915pF. Costo): 270pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo Trr (Mín.): 47ms. Función: Inversor solar, UPS, Estación de soldadura, PFC, Telecomunicaciones, ESS. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60.4k Ohms. Ic (pulso): 180A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 600W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 104 ns. Td(encendido): 18 ns. Tecnología: Field Stop IGBT . Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V
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