Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND
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2 - 2 5.00€ 6.05€
3 - 4 4.74€ 5.74€
5 - 9 4.48€ 5.42€
10 - 19 4.37€ 5.29€
20 - 29 4.27€ 5.17€
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Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tipo de canal: N. Corriente del colector: 25A. Ic (pulso): 40A. Marcado en la caja: 5N120BND. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 182 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 21/04/2025, 06:25.

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