Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores FET y MOSFET de canal N

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND
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1 - 1 5.27€ 6.38€
2 - 2 5.00€ 6.05€
3 - 4 4.85€ 5.87€
5 - 9 4.74€ 5.74€
10 - 19 4.63€ 5.60€
20 - 29 4.48€ 5.42€
30 - 73 4.32€ 5.23€
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Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 25A. Ic (pulso): 40A. Marcado en la caja: 5N120BND. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 167W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 182 ns. Td(encendido): 20 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 3.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 05/07/2025, 08:25.

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Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Vivienda: TO-247. Vivienda (se...
HGTG10N120BND
Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 80A. Marcado en la caja: 10N120BND. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 298W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V
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Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 35A. Ic (pulso): 80A. Marcado en la caja: 10N120BND. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 298W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 23 ns. Tecnología: Transistor IGBT serie NPT con diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.45V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.8V
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