transistor de canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ),
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Descripción técnica del producto (IRF2903ZS):
transistor de canal N IRF2903ZS, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. Resistencia en encendido Rds activado: 0.019 Ohms. Vivienda: D2PAK ( TO-263 ). Vivienda (según ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaje Vds(máx.): 30 v. C(pulg): 6320pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1980pF. Función: AUTOMOTIVE MOSFET. IDss (mín.): 20uA. Identificación (diablillo): 1020A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Pd (disipación de potencia, máx.): 290W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 24 ns. Tecnología: HEXFET Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V